Si基包合物的第一性原理計(jì)算
【圖文】:
杭州電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文的形狀,這取決于材料在布喇菲點(diǎn)陣(Brava體、十二面菱體形狀的第一布里淵區(qū)分別屬并且在整個(gè)波矢空間內(nèi),第一布里淵區(qū)呈現(xiàn)進(jìn)行大量的簡(jiǎn)化,從而減少計(jì)算的時(shí)間并且一布里淵區(qū)示意圖如圖 1.2 所示,積分路徑0) M(0.5,0.5,0) R(0.5,0.5,0.5) GAM M
圖 2.1 Ba8Si46的晶體結(jié)構(gòu)驗(yàn)所需的相關(guān)結(jié)構(gòu)參數(shù):其空間群為 Pm3 n(空間群號(hào)35 , α=β=γ=90° ; 其 原 子 占 位 Ba(0.25,0.5,6)、Si(0.25,0,0.5)、Si(0,0.307,0.126)。根據(jù)以上結(jié)構(gòu)參構(gòu)模型 cif 文件,將此文件導(dǎo)入 WIEN2k 軟件做計(jì)算以上晶體結(jié)構(gòu)做結(jié)構(gòu)優(yōu)化前的初始化設(shè)置工作,初始化大小 Kmax×Rmax為 WIEN2k 默認(rèn)的 7.0;分離態(tài)與核使用 20×20×20 個(gè),簡(jiǎn)約第一布里淵區(qū)獨(dú)立 k 點(diǎn)數(shù) k 點(diǎn)置為:能量收斂為 1×10-5Ry,電荷收斂為 1×10-5Ry。定的結(jié)構(gòu)需要建立在晶體能量最低的前提下,即能量相應(yīng)的拉伸或者壓縮處理,以此來尋找到一個(gè)相對(duì)最不同,我們根據(jù)結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)選取了多種拉伸壓縮比,,分10,其中“-2”即表示為對(duì)晶胞結(jié)構(gòu)進(jìn)行壓縮,且壓縮進(jìn)行壓縮變成原來的 6%、4%、2%,同理“2”即表示
【學(xué)位授予單位】:杭州電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TB303
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