【摘要】：高介電復(fù)合材料在高儲能航天器器件、傳感器、高頻通訊設(shè)備、電應(yīng)力的控制以及薄膜電容器等方面領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,特別是在電子元器件與介電儲能方面的應(yīng)用性更為突出,但大多具有高介電常數(shù)的復(fù)合材料中仍然有著明顯的缺陷需要去改進,并且這種材料通常都伴隨著很高的的介電損耗值。本文采用纖維狀的鈦酸銅鈣(CCTO)來制備復(fù)合材料并與摻雜顆粒狀的復(fù)合材料比較分析,以達到使復(fù)合材料具有更高的介電常數(shù)能更小的介電損耗為目的。首先,本文通過溶膠凝膠法將乙酸銅、硝酸鈣、鈦酸四正丁酯作為主要試劑,來制備混合均勻、粘度適中的前軀體溶液。其次,使用靜電紡絲設(shè)備來制備具有直徑均勻、大長徑比的CCTO納米纖維。同時本文通過靜電紡絲過程參數(shù)和溶液體系參數(shù)的調(diào)節(jié),來控制所得到的CCTO纖維的直徑。研究發(fā)現(xiàn)前軀體溶液中的無機鹽的濃度對制得纖維的直徑影響較大,前軀體溶液的流量在一定的范圍內(nèi)對改變纖維直徑的作用不大。第三,本文將直徑為100nm和1μm的CCTO納米纖維以及納米顆粒狀的CCTO通過熔融共混的方式分別與低密度聚乙烯混合并制成薄膜。使用寬頻介電譜儀來檢測三種薄膜的介電性能,結(jié)果表明摻雜直徑為100nm的CCTO纖維復(fù)合薄膜比摻雜直徑為1μm的CCTO纖維和納米顆粒狀CCTO復(fù)合薄膜具有更高的介電常數(shù),并且比摻雜納米顆粒狀CCTO的復(fù)合薄膜的介電損耗更低。
【學(xué)位授予單位】：哈爾濱理工大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號】：TQ342.8;TB332

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本文編號：2529787