天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當前位置:主頁 > 科技論文 > 材料論文 >

高介電納米晶的合成及其與聚酰亞胺薄膜雜化的研究

發(fā)布時間:2018-11-07 20:42
【摘要】:高性能的聚酰亞胺(PI)薄膜以及涂層材料由于具有較強的機械強度、優(yōu)異的耐化學(xué)性、良好的穩(wěn)定性等特征而廣泛應(yīng)用于微電子行業(yè)。然而隨著科技的不斷發(fā)展,傳統(tǒng)的聚酰亞胺薄膜已經(jīng)不能滿足高科技產(chǎn)品對薄膜的性能的要求,研究人員通過優(yōu)化制膜工藝和對薄膜進行納米改性兩個途徑來提高薄膜的性能。然而前者反應(yīng)周期長,投資巨大,對設(shè)備要求高,而后者成本低、見效快,目前已經(jīng)成為制備性能優(yōu)異的聚酰亞胺薄膜的主要途徑。本文采用兩相法成功的制備了油酸(OA)包覆的二氧化鋯(ZrO2)、鈦酸鋇(BaTiO3)、以及水熱法制備了氫氧化鑭(La(OH)3)納米晶,并對ZrO2內(nèi)米晶和BaTiO3納米晶進行了改性,使之與聚酰亞胺能很好的混合,最后制備了PI/ZrO2、PI/BaTiO3、 PI/La(OH)3雜化薄膜。通過透射電子顯微鏡(TEM)、X射線衍射儀(XRD)、臺階儀、掃描電子顯微鏡(SEM)、精密電容電感電阻測試儀(LCR)、傅里葉紅外光譜儀(FTIR)等對納米粒子及聚酰亞胺雜化薄膜進行了測試和表征。并且對所得結(jié)果進行了分析研究。實驗結(jié)果表明:在我們制備的雜化薄膜中,無機納米粒子以顆粒狀均勻的分布在聚酰亞胺基體中。我們合成了介電常數(shù)為6.1的PI/ZrO2雜化薄膜,介電常數(shù)為44的PI/BaTiO3雜化薄膜和介電常數(shù)為4.6的PI/La(OH)3雜化薄膜。雜化膜的介電常數(shù)遠遠高于普通聚酰亞胺薄膜。
[Abstract]:High performance polyimide (PI) films and coatings are widely used in the microelectronics industry due to their strong mechanical strength, excellent chemical resistance and good stability. However, with the development of science and technology, the traditional polyimide films can not meet the performance requirements of high-tech products. Researchers improve the performance of the films by optimizing the process of film preparation and nano-modification of films. However, the former has the advantages of long reaction period, huge investment and high demand for equipment, while the latter has become the main way to prepare excellent polyimide films with low cost and fast efficiency. In this paper, zirconium dioxide (ZrO2), barium titanate (BaTiO3) coated with oleic acid (OA) and lanthanum hydroxide (La (OH) _ 3) nanocrystals were successfully prepared by two-phase method, and the micrite and BaTiO3 nanocrystals in ZrO2 were modified. PI/ZrO2,PI/BaTiO3, PI/La (OH) _ 3 hybrid film was prepared by mixing it well with polyimide. Transmission electron microscope (TEM) (TEM), X ray diffractometer (XRD),) and scanning electron microscope (SEM),) (SEM), precision capacitance inductance resistance tester (LCR),) were used. The nanoparticles and polyimide hybrid films were measured and characterized by Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). The results are analyzed and studied. The experimental results show that the inorganic nanoparticles are uniformly distributed in the polyimide matrix in the hybrid films prepared by our method. We synthesized PI/ZrO2 hybrid films with dielectric constant 6.1, PI/BaTiO3 hybrid films with dielectric constant 44 and PI/La (OH) 3 hybrid films with dielectric constant 4.6. The dielectric constant of hybrid films is much higher than that of ordinary polyimide films.
【學(xué)位授予單位】:長春工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TB383.2

【參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 張春紅;張志謙;曹海琳;龍軍;;聚酰亞胺/納米SiO_2雜化膜的制備和表征[J];材料科學(xué)與工藝;2006年06期

2 劉潤山,郭鐵東,,趙文秀;芳香聚酰亞胺化學(xué)若干問題[J];高分子材料科學(xué)與工程;1994年02期

3 邵天奇,任天令,李春曉,朱鈞;高介電常數(shù)材料在半導(dǎo)體存儲器件中的應(yīng)用[J];固體電子學(xué)研究與進展;2002年03期

4 鐘赤鋒;;聚酰亞胺/二氧化硅雜化薄膜性能研究[J];東莞理工學(xué)院學(xué)報;2011年05期

5 Na-na Zhao;Wei Nie;Jun Mao;Wei-cai Wang;Xiang-ling Ji;;SYNTHESIS AND PROPERTIES OF BIFUNCTIONAL MAGNETIC-OPTICAL NANOMATERIALS:Fe_2O_3@PDMAEMA-CAPPED Ⅱ-Ⅵ SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS NANOCOMPOSITES[J];Chinese Journal of Polymer Science;2013年09期

6 陳昊;劉俊;何明鵬;李娟;范勇;;納米氧化鋁改性聚酰亞胺薄膜的制備與表征[J];哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報;2009年02期

7 趙斯梅;SiO_2-Al_2O_3納米雜化聚酰亞胺薄膜的結(jié)構(gòu)和性能[J];化學(xué)推進劑與高分子材料;2005年04期

8 劉兵,張興堂,王洪哲,王曉娟,李蘊才,黃亞彬,杜祖亮;溶膠-凝膠模板法制備鈦酸鋇納米管[J];化學(xué)學(xué)報;2005年21期

9 張占文,王朝陽,鐘發(fā)春,李波,余斌,魏勝,黃勇;聚酰胺酸合成工藝研究[J];強激光與粒子束;2002年02期

10 趙彥立,焦正寬,曹光旱;CaCu_3Ti_4O_(12)塊材和薄膜的巨介電常數(shù)[J];物理學(xué)報;2003年06期

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前5條

1 劉秋萍;聚酰亞胺/無機納米復(fù)合材料的制備與表征[D];陜西師范大學(xué);2007年

2 安軍偉;無機氧化物雜化聚酰亞胺薄膜的制備及性能研究[D];哈爾濱理工大學(xué);2007年

3 彭勃;銀/聚酰亞胺高介電復(fù)合材料的制備及其性能研究[D];北京化工大學(xué);2008年

4 陳慧丹;納米硅鋁氧化物雜化聚酰亞胺薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究[D];哈爾濱理工大學(xué);2009年

5 劉曉玉;納米有機硅/聚酰亞胺薄膜的結(jié)構(gòu)與性能研究[D];哈爾濱理工大學(xué);2009年



本文編號:2317521

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2317521.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶fa26f***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要刪除請E-mail郵箱bigeng88@qq.com