【摘要】：單壁碳納米管具有優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)、力學(xué)等性能,可能成為未來(lái)納米器件的支撐材料之一。實(shí)現(xiàn)碳納米管的結(jié)構(gòu)可控生長(zhǎng)制備依然面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。其中手性控制是單壁碳納米管可控制備的最大挑戰(zhàn),它的實(shí)現(xiàn)標(biāo)志著直徑、壁數(shù)、手性角及導(dǎo)電屬性等的可控制備。以特定手性單壁碳納米管的可控生長(zhǎng)為中心,分別綜述了利用化學(xué)氣相沉積法在粉體生長(zhǎng)與表面生長(zhǎng)兩方面實(shí)現(xiàn)手性可控生長(zhǎng)的研究進(jìn)展,并在此基礎(chǔ)上總結(jié)出基本思路,為實(shí)現(xiàn)單一手性碳納米管的可控制備奠定基礎(chǔ)。
[Abstract]:Single walled carbon nanotubes (SWNTs) have excellent electrical, optical, thermal and mechanical properties, which may become one of the supporting materials for nanodevices in the future. The fabrication of carbon nanotubes by structurally controlled growth is still facing a severe challenge. Chiral control is the biggest challenge in the controllable fabrication of single-walled carbon nanotubes. Its realization marks the controllable preparation of diameter, number of walls, chiral angle and conductive properties. Based on the controllable growth of chiral single-walled carbon nanotubes (SCNTs), the progress in the development of chiral growth by chemical vapor deposition (CVD) was reviewed, and the basic ideas were summarized. It lays a foundation for the controllable preparation of single chiral carbon nanotubes.
【作者單位】： 上海大學(xué)理學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51372265)
【分類號(hào)】：TB383.1;O613.71

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本文編號(hào)：2308701