本文選題：多孔硅 + 單晶硅��； 參考：《硅酸鹽學(xué)報》2017年01期

【摘要】：采用電化學(xué)陽極氧化法,對p型單晶硅施加30 mA/cm~2的恒定電流密度,在40%氫氟酸溶液中和氮氣保護氣氛下分別極化1、3和5 min,制備不同生長階段的多孔硅樣品,通過表面形貌觀測及微觀結(jié)構(gòu)表征,獲得從單晶硅到多孔硅形成過程所涉及的各種晶態(tài)組成的相對比例。結(jié)果表明:不同極化時間制得的單晶硅表面均形成了海綿狀均勻分布的納米孔洞結(jié)構(gòu)。在多孔硅的形成過程中,單晶硅結(jié)構(gòu)發(fā)生了顯著的晶態(tài)轉(zhuǎn)變和晶粒尺寸變化,導(dǎo)致大單晶、納米晶和無定形態(tài)并存,晶粒直徑從初期的1.41 nm減小到并保持在0.65 nm,而晶態(tài)的轉(zhuǎn)變和晶粒尺寸的變化被認(rèn)為與晶格畸變程度有關(guān)。
[Abstract]:The porous silicon samples at different growth stages were prepared by electrochemical anodic oxidation with a constant current density of 30 mA/cm~2 in 40% hydrofluoric acid solution and nitrogen atmosphere. The relative proportions of various crystal compositions involved in the formation process from monocrystalline silicon to porous silicon were obtained by surface morphology observation and microstructure characterization. The results show that the surface of monocrystalline silicon prepared at different polarization times has a spongy and uniform distribution of nano-voids. During the formation of porous silicon, the structure of monocrystalline silicon changed remarkably, resulting in the coexistence of large single crystal, nanocrystalline and amorphous. The grain diameter decreased from 1.41 nm in the initial stage to 0.65 nm, while the transformation of crystal state and the change of grain size were considered to be related to the degree of lattice distortion.
【作者單位】： 北京理工大學(xué)珠海學(xué)院材料與環(huán)境學(xué)院;廈門大學(xué)材料學(xué)院材料科學(xué)與工程系;福建省特種先進材料重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(11372263) 福建省特種先進材料重點實驗室開放課題資助項目
【分類號】：TN304.12;TB383.4

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 梁二軍,杜遠(yuǎn)東,晁明舉,王軍;摻鈦化學(xué)腐蝕法制備發(fā)光穩(wěn)定的多孔硅[J];光譜學(xué)與光譜分析;2002年01期

2 趙毅,楊德仁,周成瑤,闕端麟;多孔硅與聚乙烯咔唑復(fù)合光電性能研究[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報;2003年04期

3 寧瑾,劉忠立,劉煥章,葛永才;用氧化多孔硅作犧牲層制備懸空微結(jié)構(gòu)[J];功能材料與器件學(xué)報;2003年03期

4 竇雁巍;胡明;崔夢;宗楊;;多孔硅的電化學(xué)制備與研究[J];功能材料;2006年03期

5 任鵬;劉小兵;;多孔硅發(fā)光研究[J];贛南師范學(xué)院學(xué)報;2006年03期

6 朱會麗;尹延鋒;蘭燕娜;莫育俊;;電化學(xué)脈沖腐蝕制備均勻發(fā)光多孔硅[J];河南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2006年02期

7 吳克躍;黃偉其;許麗;;多孔硅的形成和發(fā)光[J];皖西學(xué)院學(xué)報;2006年05期

8 宋曉嵐;徐大余;張曉偉;屈一新;喻振新;邱冠周;;多孔硅發(fā)光材料研究進展[J];現(xiàn)代化工;2008年02期

9 薛亮;李懷祥;于磊;胡明波;陳姍姍;;硝酸銀水溶液處理新生多孔硅的研究[J];材料工程;2008年10期

10 王沖;周小會;韓煥美;鄢琴;肖守軍;;優(yōu)化金屬輔助法腐蝕液組分制備多孔硅[J];無機化學(xué)學(xué)報;2011年12期

相關(guān)會議論文 前10條

1 李卓昕;王丹妮;秦秀波;王寶義;魏龍;薛德勝;;退火對多孔硅材料發(fā)光性能的影響[A];第十屆全國正電子湮沒譜學(xué)會議論文集[C];2009年

2 汪婷;黎學(xué)明;李武林;;近似規(guī)整排列多孔硅的制備[A];中國化學(xué)會第27屆學(xué)術(shù)年會第04分會場摘要集[C];2010年

3 賀月嬌;李懷祥;郭成花;薛成山;肖淑娟;李國錚;;N型多孔硅光致紅、綠、藍(lán)發(fā)光的研究[A];2000年材料科學(xué)與工程新進展（下）——2000年中國材料研討會論文集[C];2000年

4 吳恩超;許海潔;卜源;邱瑋麗;馬曉華;楊清河;;鋰離子在多孔硅材料中的嵌脫行為研究[A];第十二屆中國固態(tài)離子學(xué)學(xué)術(shù)會議論文集[C];2004年

5 黎學(xué)明;紀(jì)新瑞;許林;;化學(xué)浸蝕溫度對多孔硅粉形貌和比表面積影響[A];第十三次全國電化學(xué)會議論文摘要集（下集）[C];2005年

6 呂京美;程璇;謝水奮;徐仁;;制備多孔硅微結(jié)構(gòu)的電化學(xué)表征[A];第十三次全國電化學(xué)會議論文摘要集（下集）[C];2005年

7 馬婷婷;馬文會;陳秀華;吳興惠;戴永年;;多孔硅的制備及應(yīng)用[A];2008年全國冶金物理化學(xué)學(xué)術(shù)會議專輯（上冊）[C];2008年

8 陳順玉;李旦振;付賢智;;制備工藝對多孔硅光伏特性的影響[A];2000'全國光催化學(xué)術(shù)會議論文集[C];2000年

9 李旦振;陳順玉;付賢智;;多孔硅的光伏特性[A];中國太陽能學(xué)會2001年學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2001年

10 李宏建;彭景翠;瞿述;許雪梅;陳小華;夏輝;羅小華;;鈍化多孔硅溫度行為的研究[A];第四屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集[C];2001年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前10條

1 李卓昕;多孔硅微結(jié)構(gòu)及發(fā)光機理的正電子譜學(xué)研究[D];蘭州大學(xué);2010年

2 趙岳;多孔硅的光電性能研究[D];浙江大學(xué);2005年

3 彭愛華;多孔硅基光電子材料的制備和性能研究[D];蘭州大學(xué);2006年

4 朱江;真空鎂熱法還原全硅分子篩選合成多孔硅的研究[D];大連理工大學(xué);2011年

5 邸玉賢;多孔硅力學(xué)性能的光力學(xué)方法與數(shù)值模擬研究[D];天津大學(xué);2007年

6 賴川;多孔硅在堿性溶液中的腐蝕行為研究[D];重慶大學(xué);2014年

7 李紹元;多孔硅制備及其在重金屬離子檢測中的應(yīng)用研究[D];昆明理工大學(xué);2014年

8 鐘福如;納米多孔硅光子器件的研究[D];新疆大學(xué);2012年

9 顏紅;多孔硅表面增強親和捕獲蛋白及激光解析電離質(zhì)譜檢測[D];南京大學(xué);2011年

10 張樂欣;多孔硅光子晶體的氣體傳感技術(shù)的研究[D];燕山大學(xué);2007年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 賈金濤;多孔硅的制備及穩(wěn)定化研究[D];南京理工大學(xué);2007年

2 劉言言;多孔硅的制備及其發(fā)光性能的研究[D];鄭州大學(xué);2015年

3 吉飛;多孔硅含能芯片的能量釋放特性和規(guī)律研究[D];南京理工大學(xué);2015年

4 施福貴;基于多孔硅/納米金光子器件熒光增強的研究[D];新疆大學(xué);2015年

5 楊業(yè)汕;多孔硅氣敏特性研究[D];合肥工業(yè)大學(xué);2015年

6 張軒;三維多孔硅復(fù)合材料的制備及儲鋰性能研究[D];西北師范大學(xué);2015年

7 陳宇;多孔硅電極的制備及其對雙酚A的電化學(xué)檢測[D];南京師范大學(xué);2013年

8 孫迪飛;基于多孔硅/稀土光子器件熒光增強的研究[D];新疆大學(xué);2016年

9 薛康;熒光多孔硅的制備及其在金屬離子和有機分子檢測中的應(yīng)用研究[D];四川師范大學(xué);2016年

10 邢正偉;自支撐多孔硅及其復(fù)合材料的制備與性能研究[D];南京航空航天大學(xué);2016年

，

本文編號：2033474