發(fā)布時(shí)間：2018-05-19 03:09

  本文選題：硼氮納米條帶 + 第一性原理計(jì)算　； 參考：《吉林大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：石墨烯的成功合成開創(chuàng)了材料科學(xué)領(lǐng)域的新紀(jì)元，它的發(fā)現(xiàn)不僅促進(jìn)了低維碳基材料同時(shí)也促進(jìn)了無機(jī)納米材料的廣泛研究，特別是低維硼氮納米體系，例如二維硼氮層和一維硼氮納米條帶,作為石墨烯納米條帶的結(jié)構(gòu)相似物，硼氮納米條帶已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)上合成，并具有高的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性，可用于極端環(huán)境，然而其寬的帶隙卻阻礙了BN納米條帶在納米電子器件等方面的應(yīng)用。 為了解決這一難題，本文基于第一性原理計(jì)算方法，通過研究雙空位缺陷重組形成的5-8-5缺陷，主要針對(duì)鋸齒型和扶手椅型兩種邊緣手性的雙空位缺陷硼氮納米條帶的幾何結(jié)構(gòu)以及對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)的電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)展開研究。我們考慮了缺陷的方向和位置兩種影響因素。計(jì)算結(jié)果表明所有缺陷的硼氮納米條帶體系都能夠一致的表現(xiàn)為非磁的半導(dǎo)體行為，此外，，5-8-5缺陷的形成，對(duì)鋸齒型和扶手椅型的硼氮納米條帶的能帶結(jié)構(gòu)都有明顯的影響，所有缺陷的硼氮納米條帶的帶隙都有所降低，然而，不同缺陷的方向或缺陷位置對(duì)能帶的影響不同。顯然，引入雙空位缺陷是一種有效的手段來調(diào)節(jié)硼氮基納米材料在電子自旋器件和多功能納米器件領(lǐng)域中的應(yīng)用。
[Abstract]:The successful synthesis of graphene has initiated a new era in the field of material science . It has been found not only to promote low - dimensional carbon - based materials , but also to promote the extensive research of inorganic nano - materials , especially low - dimensional boron - nitrogen nano - systems , such as two - dimensional boron - nitrogen and one - dimensional boron - nitrogen nano - bands , which have been synthesized in experiments , and have high thermal stability and chemical stability , which can be used in extreme environments , but their wide band gap hampers the application of BN nano - strips in nanoelectronics and the like .

In order to solve this problem , based on the first principle calculation method , the 5 - 8 - 5 defects formed by double - vacancy defect recombination were studied .
【學(xué)位授予單位】：吉林大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：O613.81;TB383.1

【參考文獻(xiàn)】

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1 呂鵬;馮奕鈺;張學(xué)全;李t@;封偉;;功能化石墨烯的應(yīng)用研究新進(jìn)展[J];中國科學(xué):技術(shù)科學(xué);2010年11期

2 胡耀娟;金娟;張卉;吳萍;蔡稱心;;石墨烯的制備、功能化及在化學(xué)中的應(yīng)用[J];物理化學(xué)學(xué)報(bào);2010年08期

本文編號(hào)：1908439