本文選題：釕 + 化學(xué)機(jī)械拋光　； 參考：《電鍍與涂飾》2017年17期

【摘要】：根據(jù)Zeta電勢測量、極化曲線測量和原子力顯微鏡觀察的結(jié)果,探討了鹽酸胍(GH)在Ru化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)過程中的作用。結(jié)果表明:在pH=9的5%SiO_2+0.15% H_2O_2拋光液中,GH的添加可以大幅度提高釕的去除速率。當(dāng)GH濃度為80 mmol/L時,釕的去除速率最佳。在相同濃度下,GH對Ru去除速率的提高效果優(yōu)于KCl,皆因GH除了可以提升SiO_2顆粒對Ru表面的機(jī)械作用之外,還能加速Ru腐蝕。
[Abstract]:Based on the results of Zeta potential measurement, polarization curve measurement and atomic force microscope (AFM) observation, the role of guanidine hydrochloride in Ru chemical mechanical polishing (Ru) process is discussed. The results showed that the removal rate of ruthenium could be greatly increased by adding pH=9 to 5%SiO_2 0.15% H_2O_2 polishing solution. When GH concentration is 80 mmol/L, the removal rate of ruthenium is the best. The effect of GH on Ru removal rate at the same concentration is better than that of KCl. because GH can not only enhance the mechanical effect of SiO_2 particles on the Ru surface, but also accelerate the Ru corrosion.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：河北省研究生創(chuàng)新資助項(xiàng)目(220056) 國家中長期科技發(fā)展規(guī)劃02科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2009ZX02308) 河北省青年自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(F2015202267)
【分類號】：TB306

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本文編號：1908166