本文選題：碳化硅　切入點(diǎn)：直流電弧等離子體　出處：《無機(jī)材料學(xué)報(bào)》2017年04期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：利用工業(yè)塊體硅為硅源,CH4為碳源,在含有H2和Ar混合氣氛中,采用直流電弧等離子體法制備SiC納米粒子。CH4含量影響SiC納米粒子的化學(xué)組成和形貌。結(jié)果顯示:產(chǎn)物中含有3C-SiC和6H-SiC兩種物相,而在CH_4壓力為0.005 MPa條件下制備的SiC納米粒子還含有Si/SiC核殼結(jié)構(gòu)。利用制備的SiC納米顆粒作為催化劑,在恒光強(qiáng)下光電催化還原脫除2,4-二氯酚中的Cl原子。結(jié)果顯示在 1.02 V偏壓下光電催化180 min后,對(duì)2,4-二氯酚的去除效率達(dá)92.5%,SiC納米粒子的吸附效率為19.6%。因此,SiC納米顆�？扇〈F金屬,作為低成本光電催化候選材料用于污水處理。
[Abstract]:Using industrial block silicon as silicon source and Ch _ 4 as carbon source, in the mixed atmosphere containing H _ 2 and ar, The content of SiC nanoparticles 路Ch _ 4 prepared by DC arc plasma method affects the chemical composition and morphology of SiC nanoparticles. The results show that there are 3C-SiC and 6H-SiC phases in the products. However, the SiC nanoparticles prepared under the CH_4 pressure of 0.005 MPa also contained the core-shell structure of Si/SiC. The prepared SiC nanoparticles were used as catalysts. The reduction of Cl atoms in 2O4-dichlorophenol was carried out under constant light intensity. The results showed that under the bias voltage of 1.02 V, the Cl atom was photocatalysed for 180 min. The removal efficiency of 2% 4-dichlorophenol is 92.5% and the adsorption efficiency of sic nanoparticles is 19.60.Therefore, sic nanoparticles can replace precious metals and be used as low-cost photocatalytic candidate materials for wastewater treatment.
【作者單位】： 大連理工大學(xué)教育部三束材料改性重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室材料科學(xué)與工程學(xué)院;大連理工大學(xué)能源材料及器件實(shí)驗(yàn)室材料科學(xué)與工程學(xué)院;大連理工大學(xué)工業(yè)生態(tài)與環(huán)境工程實(shí)驗(yàn)室環(huán)境學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51171033,51271044) 國(guó)家中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(DUT15LAB05,DUT16LAB03)~~
【分類號(hào)】：TQ426;TB383.1

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本文編號(hào)：1623680