本文選題：AZO薄膜　切入點(diǎn)：氫摻雜　出處：《真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用直流磁控濺射的方法制備摻鋁氧化鋅(AZO)透明導(dǎo)電薄膜,通過濺射過程中加入氫氣的方法來降低AZO薄膜的電阻率。結(jié)果表明:通過加入氫氣的方法能有效降低AZO薄膜的電阻率;在襯底溫度為225℃的低溫條件下,通過優(yōu)化其它沉積參數(shù),制備了電阻率最低為4.5×10~(-4)Ω·cm、可見光區(qū)平均透光率在90%的優(yōu)質(zhì)AZO薄膜。這說明在濺射過程中引入一定流量的氫氣,H可以起到摻雜作用,提高AZO薄膜的電導(dǎo)率。
[Abstract]:The transparent conductive aluminum doped zinc oxide (AZO) thin films were prepared by DC magnetron sputtering. The resistivity of AZO thin films can be reduced by adding hydrogen in the sputtering process. The results show that the resistivity of AZO thin films can be reduced effectively by adding hydrogen, and the substrate temperature is 225 鈩，

本文編號(hào)：1607038