本文關鍵詞：化學氣相沉積法制備氮化硼界面涂層的研究進展

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【摘要】：闡述了BN界面的優(yōu)異性能和CVD制備工藝的優(yōu)缺點,主要介紹了CVD-BN制備過程中沉積溫度、源氣體比例、熱處理溫度等各因素的影響,指出CVD法是制備高品質(zhì)BN界面涂層的優(yōu)選方法。優(yōu)化CVD工藝,對其制備原理進行深入研究,將是BN界面涂層研究的重點,獲得特定結(jié)構、性能穩(wěn)定、厚度可控的BN界面相涂層是CVD法制備BN界面相涂層的難點。
【作者單位】： 上海大學材料復合及先進分散技術教育部工程中心;上海航天設備制造總廠;
【基金】：航空科學基金SiCf/SiC復合陶瓷浮動壁應用的基礎研究(2013 ZFS6001)
【分類號】：TB306
【正文快照】： 0引言陶瓷基復合材料(CMC)具有質(zhì)輕、耐高溫、耐磨損等特點,能夠滿足航空發(fā)動機長時間使用、抗氧化和耐磨的要求,是高推動比發(fā)動機的首選材料[1]。但是,陶瓷材料具有較大的脆性,使其應用受到限制,為此,自增韌、顆粒增強、晶須增強、纖維增強和混雜增強等成為眾多研究者獲得高

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