化學(xué)氣相沉積法制備氮化硼界面涂層的研究進(jìn)展
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【摘要】:闡述了BN界面的優(yōu)異性能和CVD制備工藝的優(yōu)缺點(diǎn),主要介紹了CVD-BN制備過(guò)程中沉積溫度、源氣體比例、熱處理溫度等各因素的影響,指出CVD法是制備高品質(zhì)BN界面涂層的優(yōu)選方法。優(yōu)化CVD工藝,對(duì)其制備原理進(jìn)行深入研究,將是BN界面涂層研究的重點(diǎn),獲得特定結(jié)構(gòu)、性能穩(wěn)定、厚度可控的BN界面相涂層是CVD法制備BN界面相涂層的難點(diǎn)。
【作者單位】: 上海大學(xué)材料復(fù)合及先進(jìn)分散技術(shù)教育部工程中心;上海航天設(shè)備制造總廠;
【基金】:航空科學(xué)基金SiCf/SiC復(fù)合陶瓷浮動(dòng)壁應(yīng)用的基礎(chǔ)研究(2013 ZFS6001)
【分類(lèi)號(hào)】:TB306
【正文快照】: 0引言陶瓷基復(fù)合材料(CMC)具有質(zhì)輕、耐高溫、耐磨損等特點(diǎn),能夠滿(mǎn)足航空發(fā)動(dòng)機(jī)長(zhǎng)時(shí)間使用、抗氧化和耐磨的要求,是高推動(dòng)比發(fā)動(dòng)機(jī)的首選材料[1]。但是,陶瓷材料具有較大的脆性,使其應(yīng)用受到限制,為此,自增韌、顆粒增強(qiáng)、晶須增強(qiáng)、纖維增強(qiáng)和混雜增強(qiáng)等成為眾多研究者獲得高
【相似文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):1301454
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