轉(zhuǎn)印技術(shù)是近年來興起的一種確定性組裝技術(shù),其主要目的是將微納米結(jié)構(gòu)功能材料按照其要求組裝成二維或三維的有序結(jié)構(gòu),形成各種微納米器件。轉(zhuǎn)印技術(shù)具有兼容性強(qiáng)、可在常溫下進(jìn)行等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于柔性電子等領(lǐng)域。研究人員已經(jīng)開發(fā)出來很多轉(zhuǎn)印方法,但絕大多數(shù)轉(zhuǎn)印方法的分辨率還僅停留在微米尺度。盡管有方法實(shí)現(xiàn)了納米圖案的轉(zhuǎn)印,但工藝過于復(fù)雜、通用性差,嚴(yán)重限制了微納米器件在柔性電子中的應(yīng)用。為此,本文提出了一種犧牲層輔助的納米尺度的轉(zhuǎn)印新方法。本文對(duì)所提出的犧牲層輔助納米尺度轉(zhuǎn)印方法的工藝流程進(jìn)行了具體的介紹。首先,在施主基片上沉積一層犧牲層,接著在犧牲層上制作功能結(jié)構(gòu),然后將圖章緊密貼附在基片上,將功能結(jié)構(gòu)和犧牲層全部轉(zhuǎn)印下來,最后去除掉犧牲層,得到所需要轉(zhuǎn)印的功能結(jié)構(gòu)。利用這種方法,使用銅作為犧牲層材料,將47 nm寬的金結(jié)構(gòu)在硅基片上成功轉(zhuǎn)印下來。犧牲層在轉(zhuǎn)印過程起到了兩點(diǎn)作用。一是能夠提高轉(zhuǎn)印分辨率,為此,引入能量釋放率理論進(jìn)行分析。在沒有犧牲層的情況下,隨著功能結(jié)構(gòu)特征尺寸的減小,圖章不能完全貼合到結(jié)構(gòu)表面,導(dǎo)致功能結(jié)構(gòu)/圖章的能量釋放率遠(yuǎn)小于功能結(jié)構(gòu)/基片的能量釋放率,無法轉(zhuǎn)印;犧牲層的... 

【文章來源】：大連理工大學(xué)遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：60 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 轉(zhuǎn)印技術(shù)
    1.2 常見轉(zhuǎn)印方法
        1.2.1 控制分離速度法
        1.2.2 微結(jié)構(gòu)圖章法
        1.2.3 表面改性法
        1.2.4 外部作用輔助法
        1.2.5 膠帶轉(zhuǎn)印法
        1.2.6 犧牲層法
    1.3 轉(zhuǎn)印在柔性電子中的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)
        1.3.1 轉(zhuǎn)印在柔性電子中的應(yīng)用
        1.3.2 轉(zhuǎn)印技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
    1.4 本文主要內(nèi)容
2 犧牲層輔助的納米尺度轉(zhuǎn)印方法
    2.1 工藝流程介紹
    2.2 金屬納米圖形的制造及轉(zhuǎn)印
    2.3 小結(jié)
3 犧牲層在轉(zhuǎn)印中的作用
    3.1 提高轉(zhuǎn)印分辨率
    3.2 減小結(jié)構(gòu)的應(yīng)變
    3.3 小結(jié)
4 犧牲層輔助轉(zhuǎn)印方法的通用性研究
    4.1 二氧化硅結(jié)構(gòu)的制作與轉(zhuǎn)印
    4.2 柔性電容的制作與轉(zhuǎn)印
    4.3 電射流打印微納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印
        4.3.1 PZT納米圖形
        4.3.2 石墨烯材料和銀墨水
    4.4 小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]聚合物二維納米通道熱壓工藝及相關(guān)理論研究[D]. 殷志富.大連理工大學(xué) 2016



本文編號(hào)：3460191