Al-Ti-C中間合金TiC尺度分布及其界面富Ti過(guò)渡區(qū)形成機(jī)制的研究
【圖文】:
第一章緒論證明這種理論。圖1.2為Mohanty等發(fā)現(xiàn)的TIB:顆粒周圍的TIAI:薄層。圖1.2鋁基體中0.05%Ti含量卜TIBZ顆粒表面的TIA13薄層 Fig.1.2TIA13layeronTIBZinPurealuminiummatrixinthePreseneeofsolute0.05%Ti.3.5界面過(guò)渡區(qū)理論山東大學(xué)的于麗娜1341等研究了TIC粒子界面處的反應(yīng),發(fā)現(xiàn)在TIC粒子周圍也存在Ti原子的聚集。a一AI晶粒中心處的富Ti過(guò)渡區(qū)的形成有兩種可能:一種是Ti原子在熔體中均勻分布,只有在凝固過(guò)程中才‘向TIC顆粒周圍聚集,轉(zhuǎn)化為固態(tài)下的富Ti過(guò)渡區(qū);另一種是在熔體狀態(tài)時(shí)Ti就已經(jīng)在TIC顆粒周圍聚集,凝固后形成富Ti過(guò)渡區(qū)。為了確切證明這兩種假設(shè)那種是正確的,她將Al一Ti一C中間合金細(xì)化后的工業(yè)純鋁經(jīng)快速凝固后進(jìn)行TEM分析,證明了固態(tài)下的富Ti過(guò)渡區(qū)的形成主要是由熔體中的富Ti過(guò)渡區(qū)直接演化而來(lái)的。圖1.3為于麗娜等人做的快速凝固薄帶的TEM分析。不同于MohantyI22]等人提出的TIB:顆粒表面形成的是TIAI:薄層的理論,富Ti過(guò)渡區(qū)理論認(rèn)為TIB:和TIC顆粒周圍形成的不是TIA13薄層
晶粒尺寸一都比較細(xì)小,皆在150林m以下,保持了較好的細(xì)化效果。然而保溫超過(guò)60min,,鉆粒明顯粗化,出現(xiàn)較明顯的細(xì)化衰退。圖1.5為A卜SCu合金中加入10%Al一STi一O.4C中間合金的EPMA面掃描分析,SEI圖中正好有兩個(gè)晶粒,,晶粒核心處都有白亮的顆粒,成方分析表明,其含有Ti和C元素,表明其為TIC顆粒,而晶界處有兩種化合物:除了合金中原有的A12Cu以外,還有一種新的Ti一Al一Cu金屬間化合物,這兩種化合物的形貌和亮度雖然非常相似,但化學(xué)成分卻絕然不同。這表明Al一Ti一c中間合金不僅對(duì)Al一SCu合金的晶粒進(jìn)行了細(xì)化
【學(xué)位授予單位】:山東大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2010
【分類號(hào)】:TG146.2
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本文編號(hào):2627245
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