發(fā)布時(shí)間：2018-11-17 15:49

【摘要】：針對(duì)MEMS圓片測(cè)試系統(tǒng)中絕緣性能測(cè)試的準(zhǔn)確測(cè)量問(wèn)題,利用Ga As半導(dǎo)體材料硼離子注入后的高絕緣特性,研究制作片上高值電阻標(biāo)準(zhǔn)件的方案,研制出一種基于Ga As襯底的由2個(gè)金屬電極構(gòu)成的1 GΩ片上高阻標(biāo)準(zhǔn)件。組建能有效溯源至國(guó)家最高標(biāo)準(zhǔn)的定標(biāo)裝置,使用與標(biāo)準(zhǔn)件探針壓點(diǎn)坐標(biāo)匹配的探針卡作為測(cè)試夾具,考核出年穩(wěn)定性優(yōu)于0.1%的在片標(biāo)準(zhǔn)件。經(jīng)試驗(yàn)表明:該標(biāo)準(zhǔn)件攜帶方便、性能穩(wěn)定,對(duì)開(kāi)展MEMS片上絕緣性能測(cè)試提供有效的現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)方案,有效解決其溯源問(wèn)題。
[Abstract]:Aiming at the problem of accurate measurement of insulation performance in MEMS wafer test system, the scheme of making high value resistance standard parts on chip is studied by using the high insulation characteristics of Ga As semiconductor material implanted by boron ion. A 1 G 惟 on-chip standard component with two metal electrodes based on Ga As substrate has been developed. A calibration device which can effectively trace to the highest national standard is constructed. The probe card matching with the pressure point coordinate of the probe of the standard part is used as the test fixture, and the annual stability is better than 0.1% of the in-film standard parts. The test results show that the standard part is easy to carry and stable in performance. It provides an effective on-site calibration scheme for testing insulation performance on MEMS chip and effectively solves the problem of traceability.
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;
【分類號(hào)】：TH-39

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2338353