【摘要】：針對MEMS圓片測試系統(tǒng)中絕緣性能測試的準確測量問題,利用Ga As半導體材料硼離子注入后的高絕緣特性,研究制作片上高值電阻標準件的方案,研制出一種基于Ga As襯底的由2個金屬電極構成的1 GΩ片上高阻標準件。組建能有效溯源至國家最高標準的定標裝置,使用與標準件探針壓點坐標匹配的探針卡作為測試夾具,考核出年穩(wěn)定性優(yōu)于0.1%的在片標準件。經試驗表明:該標準件攜帶方便、性能穩(wěn)定,對開展MEMS片上絕緣性能測試提供有效的現(xiàn)場校準方案,有效解決其溯源問題。
[Abstract]:Aiming at the problem of accurate measurement of insulation performance in MEMS wafer test system, the scheme of making high value resistance standard parts on chip is studied by using the high insulation characteristics of Ga As semiconductor material implanted by boron ion. A 1 G 惟 on-chip standard component with two metal electrodes based on Ga As substrate has been developed. A calibration device which can effectively trace to the highest national standard is constructed. The probe card matching with the pressure point coordinate of the probe of the standard part is used as the test fixture, and the annual stability is better than 0.1% of the in-film standard parts. The test results show that the standard part is easy to carry and stable in performance. It provides an effective on-site calibration scheme for testing insulation performance on MEMS chip and effectively solves the problem of traceability.
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第十三研究所;
【分類號】：TH-39

【參考文獻】

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本文編號：2338353