發(fā)布時間：2018-01-21 10:29

  本文關(guān)鍵詞： 重慶京東方.代線 大型廠房 精密工程測量　出處：《測繪通報》2016年S2期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：隨著我國經(jīng)濟的不斷發(fā)展,廠房的建設(shè)規(guī)模越來越大。公司近幾年承接的廠房工程,如無錫海力士廠房建筑面積21萬m~2,深圳華星光電8.5代線廠房42萬m~2,昆山龍飛光電7.5代廠房68萬m~2,合肥鑫盛光電76萬m~2,重慶京東方100萬m~2,廠房的建筑面積越來越大,反而工期越來越短,傳統(tǒng)的測量手段無法完成。重慶京東方第8.5代薄膜晶體管液晶顯示屏生產(chǎn)線廠房是中國體量最大、潔凈面積最大、功能最全的薄膜晶體管高世代線廠房,在項目施工過程中,測量作業(yè)人員創(chuàng)新研究新技術(shù),積極采用新設(shè)備,解決了項目快速精密施工的測量難題。僅用390 d就完成了這座建筑面積100萬m~2的廠房施工,創(chuàng)造了全球電子廠房建設(shè)速度新紀(jì)錄,被重慶市政府稱為"重慶奇跡"。
[Abstract]:With the continuous development of China's economy, the construction scale is more and more big. In recent years the company to undertake the plant engineering, such as Wuxi Hynix plant construction area of 210 thousand m~2, Shenzhen 8.5 line Huaxing Power Plant 420 thousand m~2, Kunshan Longfei photoelectric 7.5 generation plant 680 thousand m~2, Hefei Xinsheng photoelectric 760 thousand m~2, Chongqing BOE 1 million m~2. The building area more and more buildings, but shorter and shorter duration, unable to complete the traditional means of measurement. Chongqing BOE 8.5 generation TFT-LCD production line plant is the largest body of China, clean the area is the largest, most complete function of the thin film transistor high generation line plant, during the construction of the project, new technology innovation research work the researchers measured, the active use of new equipment, to solve the problem of measuring project rapid precision construction. Only 390 D completed the building area of 1 million m~2 plant construction, to create a whole The construction speed of the ball electronics factory is a new record, which is called the "Chongqing miracle" by the Chongqing municipal government.

【作者單位】： 北京中建華海測繪科技有限公司;
【分類號】：TU198
【正文快照】： 京東方重慶第8.5代新型半導(dǎo)體顯示器件及系統(tǒng)工程位于兩江新區(qū)水土高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園,該工程規(guī)劃占地面積約58.4萬m2,總建筑面積約100.6萬m2,包含1#陣列廠房、2#成盒及彩膜廠房、3#模塊廠房、4#化學(xué)品車間、5#綜合動力站、6#廢水處理站、7#特氣車間、7A#硅烷站、8#~10#化學(xué)品庫、

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4 焦兵兵;王東興;劉躍;趙洪;;有機半導(dǎo)體酞菁銅雙極薄膜晶體管制備與特性[A];第十三屆全國工程電介質(zhì)學(xué)術(shù)會議論文集[C];2011年

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10 蔡俊;陳偉;;基于PIC24FJ128DA210的TFT-LCD控制設(shè)計[A];全國冶金自動化信息網(wǎng)2014年會論文集[C];2014年

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5 中國軟件評測中心 中國計算機報測試實驗室 康健;Philips150x看過來[N];中國計算機報;2001年

6 中國計算機報測試實驗室 康健;“瘦”的魅力[N];中國計算機報;2000年

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本文編號：1451242