本文關鍵詞：基于專利的氧化鋅寬禁帶半導體材料技術中外比較

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【摘要】：利用專利對氧化鋅寬禁帶半導體材料技術的研發(fā)實力、技術領域、專利原創(chuàng)性和普遍性態(tài)勢進行中外比較,根據(jù)主要競爭國家的綜合競爭地位分析,發(fā)現(xiàn)我國該領域技術研發(fā)中的問題。研究表明盡管我國的專利增長率不斷提高,但高質量專利較少,研發(fā)機構競爭實力不足,屬于技術相對落后者。最后利用SWOT分析對提高氧化鋅寬禁帶半導體技術的創(chuàng)新水平給出相應的建議。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學經濟與管理學院;
【關鍵詞】： 氧化鋅 寬禁帶半導體材料 專利分析 中外比較
【基金】：國家社會科學基金重大項目“新興技術未來分析理論方法與產業(yè)創(chuàng)新研究”(編號:11&ZD140)
【分類號】：TN304.21;G306
【正文快照】： 0引言寬禁帶半導體材料被稱為第三代半導體材料,以氮化鎵(G a N)、碳化硅(S i C)、金剛石、氧化鋅(Zn O)為代表,具有禁帶寬、熱導率大、擊穿電場高、電子飽和漂移速度高等獨特的性能,使其在光電器件、電力電子、激光器以及探測器件等方面展現(xiàn)出巨大潛力,成為世界各國半導體研

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1 吳峗;出版物生產流程的中外比較[J];出版與印刷;2005年02期

2 ;[J];;年期

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本文編號：545448