碳化硅基鎵氮技術(shù)多應(yīng)用于高端射頻器件,是各個國家爭相攻克的尖端技術(shù)。本文基于全球相關(guān)專利數(shù)據(jù),從專利申請趨勢、技術(shù)來源、技術(shù)目標市場、技術(shù)流向、專利申請人等維度分析碳化硅基鎵氮的競爭格局。為國內(nèi)研發(fā)機構(gòu)和企業(yè)的發(fā)展創(chuàng)新提供路徑借鑒。 

【文章來源】：廣東化工. 2020,47(18)

【文章頁數(shù)】：3 頁

【部分圖文】：

碳化硅基鎵氮全球?qū)＠暾堏厔?申請量/項)

將中國、美國和日本的碳化硅基鎵氮專利申請趨勢進行比對，如圖2所示�？梢姡绹腿毡咀鳛閮纱蠹夹g(shù)優(yōu)勢國，較早開始專利布局，且專利申請的趨勢和數(shù)量呈現(xiàn)出高度同步性，均在2004年達到申請量高峰，具體為美國61項，日本59項，而同期的中國相關(guān)專利申請量僅39項，不足美國的三分之二。以2012年拐點，此后中國碳化硅基鎵氮專利申請在數(shù)量上持續(xù)領(lǐng)先于美國和日本。這與我國大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國家計劃和政策支持密不可分[4]。如圖3示出碳化硅基氮化鎵專利技術(shù)的來源/目標市場分布，可見，就技術(shù)來源國/地區(qū)而言，日本專利數(shù)量最多為379項，居第一梯隊；美國(256項)和中國(248項)居第二梯隊；韓國和歐洲的專利產(chǎn)出與日本、美國、中國存在較大差距。就技術(shù)目標國/地區(qū)而言，日本(625項)和美國(638項)均為各國爭相占領(lǐng)的重要市場，居第一梯隊；中國(505項)居第二梯隊；韓國和歐洲也有一定的專利數(shù)量布局，范圍在250～300項之間�？梢姡毡竞兔绹谔蓟杌壍夹g(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新實力強大，且存在大量的專利布局，競爭形勢嚴峻。

相比而言，中國沒有企業(yè)入圍，僅有大學(xué)或科研機構(gòu)，具體為中科院半導(dǎo)體研究所(36項)、西安電子科技大學(xué)(15項)入圍�？梢姡髮W(xué)或科研機構(gòu)為中國專利申請的主力軍。中國企業(yè)對研發(fā)關(guān)注度和技術(shù)實力還不夠，國際競爭力有待提高。我國的產(chǎn)業(yè)發(fā)展需進一步加大力量培育有較高研發(fā)實力的優(yōu)質(zhì)企業(yè)。3.2領(lǐng)軍企業(yè)專利分析

【參考文獻】：
期刊論文
[1]聚焦產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù),把握第三代半導(dǎo)體發(fā)展機遇——第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)分析報告[J]. 趙婉雨.  高科技與產(chǎn)業(yè)化. 2019(05)



本文編號：3620377