硅基氮化鎵技術(shù)多應(yīng)用于功率半導(dǎo)體器件,是各個(gè)國家爭相攻克的尖端技術(shù)。從專利技術(shù)流向、專利地區(qū)分布、競爭局勢、專利運(yùn)營與紛爭、中國地區(qū)差異等維度對全球硅基氮化鎵專利技術(shù)進(jìn)行解讀。為國內(nèi)研發(fā)機(jī)構(gòu)和企業(yè)的發(fā)展創(chuàng)新提供路徑借鑒。 

【文章來源】：集成電路應(yīng)用. 2020,37(07)

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 發(fā)展歷程
2 專利技術(shù)流向
3 技術(shù)分布格局
4 競爭局勢
5 專利運(yùn)營與紛爭
6 中國地區(qū)差異
7 結(jié)語


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]聚焦產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù),把握第三代半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)遇——第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)分析報(bào)告[J]. 趙婉雨.  高科技與產(chǎn)業(yè)化. 2019(05)
[2]第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況剖析[J]. 李春,鄧君楷.  集成電路應(yīng)用. 2017(02)



本文編號：3024594