硅基氮化鎵技術(shù)多應(yīng)用于功率半導(dǎo)體器件,是各個(gè)國(guó)家爭(zhēng)相攻克的尖端技術(shù)。從專(zhuān)利技術(shù)流向、專(zhuān)利地區(qū)分布、競(jìng)爭(zhēng)局勢(shì)、專(zhuān)利運(yùn)營(yíng)與紛爭(zhēng)、中國(guó)地區(qū)差異等維度對(duì)全球硅基氮化鎵專(zhuān)利技術(shù)進(jìn)行解讀。為國(guó)內(nèi)研發(fā)機(jī)構(gòu)和企業(yè)的發(fā)展創(chuàng)新提供路徑借鑒。 

【文章來(lái)源】：集成電路應(yīng)用. 2020,37(07)

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 發(fā)展歷程
2 專(zhuān)利技術(shù)流向
3 技術(shù)分布格局
4 競(jìng)爭(zhēng)局勢(shì)
5 專(zhuān)利運(yùn)營(yíng)與紛爭(zhēng)
6 中國(guó)地區(qū)差異
7 結(jié)語(yǔ)


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]聚焦產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵技術(shù),把握第三代半導(dǎo)體發(fā)展機(jī)遇——第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)分析報(bào)告[J]. 趙婉雨.  高科技與產(chǎn)業(yè)化. 2019(05)
[2]第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況剖析[J]. 李春,鄧君楷.  集成電路應(yīng)用. 2017(02)



本文編號(hào)：3024594