本文關(guān)鍵詞：鑲嵌有納米硅的SiN_x薄膜光致發(fā)光的溫度依賴(lài)特性研究

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【摘要】：采用對(duì)靶磁控濺射法在單晶硅襯底上沉積鑲嵌有納米硅的氮化硅薄膜,然后在形成氣體FG(10%H2,90%N2)氣氛中進(jìn)行450℃常規(guī)熱退火50min。通過(guò)熒光光譜儀測(cè)得的穩(wěn)態(tài)/瞬態(tài)光致發(fā)光(PL)譜研究了鑲嵌有納米硅的氮化硅(SiNx)薄膜樣品光致發(fā)光特性。結(jié)果表明,樣品的發(fā)光過(guò)程可以歸因于納米硅的量子限制效應(yīng)發(fā)光和與缺陷相關(guān)的發(fā)光。隨著激發(fā)光能量的增加,PL譜峰位發(fā)生藍(lán)移,表明較小粒度的納米硅發(fā)光比例增加;溫度的降低會(huì)抑制非輻射復(fù)合過(guò)程,提高輻射復(fù)合幾率,因此發(fā)光壽命延長(zhǎng),發(fā)光強(qiáng)度呈指數(shù)增加;隨著探測(cè)波長(zhǎng)的減小,樣品的發(fā)光壽命則明顯縮短,表明納米硅的量子限制效應(yīng)發(fā)光對(duì)溫度有很強(qiáng)的依賴(lài)性。
【作者單位】： 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院河北省光電信息材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 納米硅/氮化硅 光致發(fā)光 溫度依賴(lài)特性
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(60878040) 河北省自然科學(xué)基金項(xiàng)目(F2013201250) 河北省科技廳項(xiàng)目(12963930D)資助
【分類(lèi)號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： 引言近年來(lái),低維硅基納米材料在光電集成電路中的潛在應(yīng)用吸引了人們對(duì)其光學(xué)特性的廣泛研究[1-2]。在低維結(jié)構(gòu)中,輻射復(fù)合來(lái)自于光生電子-空穴對(duì)的相互作用,人們致力于制備表面鈍化良好的密集Si納米結(jié)構(gòu),來(lái)實(shí)現(xiàn)高效發(fā)光[3-4]。大量實(shí)驗(yàn)研究表明,在鑲嵌有納米硅的氧化硅(SiOx)

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：911894