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摻硼質(zhì)量濃度對BDD電極電化學(xué)特性的影響

發(fā)布時間:2017-09-10 21:25

  本文關(guān)鍵詞:摻硼質(zhì)量濃度對BDD電極電化學(xué)特性的影響


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【摘要】:摻硼金剛石(BDD)薄膜電極析氧電位高、背景電流小、耐腐蝕的特性,使其在電化學(xué)應(yīng)用方面受到廣泛關(guān)注。采用熱絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)系統(tǒng),在鉭基底上制備了不同摻硼質(zhì)量濃度的金剛石薄膜電極,通過掃描電子顯微鏡(SEM)分析了薄膜表面形貌,利用循環(huán)伏安法研究了電極的電化學(xué)特性。結(jié)果表明:摻硼質(zhì)量濃度為2 g/L時,制備的薄膜電極質(zhì)量最好,晶粒尺寸最大,電勢窗口達(dá)到3.99 V;繼續(xù)增大摻硼質(zhì)量濃度,粒徑減小,薄膜質(zhì)量變差,電勢窗口逐漸減小。BDD電極在酸、鹽、堿性溶液中的析氧電位分別為2.11,1.82和0.86 V,呈遞減趨勢。
【作者單位】: 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;天津市電子材料與器件重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】摻硼金剛石電極 電勢窗口 析氧電位 摻硼質(zhì)量濃度 熱絲化學(xué)氣相沉積(HFCVD)
【基金】:國家科技重大專項資助項目(2009ZX02308,2014ZX02301003) 河北省博士后擇優(yōu)資助項目(B2015003010)
【分類號】:TB383.2;O646
【正文快照】: 2.天津市電子材料與器件重點實驗室,天津300130)0引言金剛石特殊的晶體結(jié)構(gòu)決定了它具有諸多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),其在電學(xué)、光學(xué)、聲學(xué)、熱學(xué)以及電化學(xué)方面的應(yīng)用受到廣泛關(guān)注[1],因此,越來越多的科研工作者致力于金剛石薄膜的研究。熱絲化學(xué)氣相沉積(hot filament chemical

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