本文關(guān)鍵詞：基于射頻磁控濺射法制備ZnO薄膜研究

  更多相關(guān)文章： ZnO薄膜 射頻磁控濺射 微結(jié)構(gòu) 阻變特性

【摘要】：研究射頻磁控濺射法制備ZnO薄膜,采用X射線衍射儀(XRD)和場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)研究濺射功率、濺射時(shí)間和退火溫度對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)特性的影響,并分析ZnO薄膜阻變特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,沉積態(tài)薄膜擇優(yōu)取向?yàn)椤?02〉晶向,隨濺射功率和退火溫度增加,擇優(yōu)取向顯著增強(qiáng),濺射功率120 W時(shí)薄膜生長(zhǎng)速率可達(dá)4.8 nm/min,薄膜厚度92 nm的ZnO薄膜具有阻變特性且開關(guān)比可達(dá)104。
【作者單位】： 黑龍江大學(xué)黑龍江省高校電子工程重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;黑龍江大學(xué)化學(xué)化工與材料學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： ZnO薄膜 射頻磁控濺射 微結(jié)構(gòu) 阻變特性
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61471159) 黑龍江大學(xué)青年科學(xué)基金資助項(xiàng)目(QL201408)
【分類號(hào)】：TQ132.41;TB383.2
【正文快照】： 0引言對(duì)Zn O的研究最早可以追溯到1935年[1],六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)Zn O作為寬帶隙化合物半導(dǎo)體(Eg=3.37 e V),其具有良好的壓電、氣敏和濕敏等優(yōu)異特性,并且其透光率可高達(dá)90%(可見光區(qū)域),可廣泛應(yīng)用于壓力傳感器、加速度傳感器、氣敏傳感器、透明電極和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域[2-6]。近

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本文編號(hào)：750745