本文關(guān)鍵詞：太陽(yáng)能光譜選擇性吸收薄膜高溫性能衰減分析

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【摘要】：對(duì)SiO_2/CrO_x/CrN_y/Al型太陽(yáng)能光譜選擇性吸收薄膜的熱穩(wěn)定性進(jìn)行測(cè)試,分析薄膜在高溫下的光學(xué)性能、表面及截面形貌、元素分布、微觀結(jié)構(gòu)等變化。在450℃下熱處理300 h后采用SEM、AES、TEM等方法分析薄膜熱處理后的微觀結(jié)構(gòu)、成分變化。結(jié)果表明,經(jīng)熱處理薄膜出現(xiàn)表面粗糙度增加、晶粒異常長(zhǎng)大、亞層界面變模糊等變化。主要的衰減機(jī)制為薄膜在高溫下O、N發(fā)生輕微擴(kuò)散,另外經(jīng)熱處理后吸收層Cr結(jié)晶度略有增加。
【作者單位】： 東北農(nóng)業(yè)大學(xué)電氣與信息學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 太陽(yáng)能光譜選擇性吸收薄膜 過(guò)渡金屬氧化物及氮化物 熱穩(wěn)定性 衰減機(jī)制 高溫?cái)U(kuò)散
【基金】：哈爾濱市應(yīng)用技術(shù)研究與開(kāi)發(fā)項(xiàng)目(2013RFQXJ094)
【分類號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： 0引言過(guò)渡金屬的氧化物、氮化物及其氮氧化物型太陽(yáng)能光譜選擇性吸收薄膜因其具有優(yōu)秀的太陽(yáng)光譜吸收比,較低的熱發(fā)射比,良好的高溫?zé)岱�(wěn)定性以及采用無(wú)污染的磁控濺射制備,可適應(yīng)工業(yè)上大規(guī)模生產(chǎn),是近年來(lái)的研究熱點(diǎn)之一[1]。目前已成功制備包括本征吸收涂層(intrinsic absor

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本文編號(hào)：702261