本文關(guān)鍵詞：低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的研究進(jìn)展

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【摘要】：低介電常數(shù)的聚酰亞胺薄膜在解決超大規(guī)模集成電路所引起的RC延遲、串?dāng)_、能耗、噪聲等問題中有著關(guān)鍵性的作用。文章綜述了近幾年來國內(nèi)外低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備方法,詳細(xì)介紹了引入納米多孔結(jié)構(gòu)、改變聚酰亞胺本體結(jié)構(gòu)以及填充低介電材料這三種研究方法,并對各種方法的優(yōu)缺點做了簡要評價。
【作者單位】： 榆林學(xué)院化學(xué)與化學(xué)工程學(xué)院;榆神煤炭公司銀河煤業(yè);
【關(guān)鍵詞】： 聚酰亞胺 低介電常數(shù) 復(fù)合材料
【分類號】：TQ323.7
【正文快照】： 在集成電路中,有著極好熱穩(wěn)定性以及抗?jié)裥缘亩趸?Si O2)一直是金屬互聯(lián)線路使用的主要絕緣材料。但是隨著信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,超大規(guī)模集成電路高度集成,導(dǎo)致器件特征尺寸越來越小。當(dāng)集成電路的特征尺寸減小至180 nm或更小時,產(chǎn)生了由電容引起的RC延遲、串?dāng)_、能耗等一

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本文編號：680971