發(fā)布時(shí)間：2017-07-30 05:03

  本文關(guān)鍵詞：鑲嵌于非晶碳化硅中的高導(dǎo)電性摻雜納米晶硅的制備與電學(xué)性能研究

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【摘要】：對(duì)不同C/Si比的摻磷非晶碳化硅薄膜的光電性質(zhì)進(jìn)行了研究.發(fā)現(xiàn)對(duì)于原始樣品,隨著C/Si比的減小,材料的光學(xué)帶隙逐漸減小,暗電導(dǎo)率逐漸增大.對(duì)于1000℃退火后的樣品,材料的暗電導(dǎo)率有了6到7個(gè)數(shù)量級(jí)的提高.隨著膜中C/Si比的減小,材料中Si-C鍵密度逐漸減少,結(jié)晶度提高,光學(xué)帶隙有所增大,多數(shù)載流子遷移率增大,暗電導(dǎo)率逐漸增大.此外,薄膜中組分比的改變對(duì)材料中摻雜磷原子的激活效率以及材料的電導(dǎo)率激活能等都會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)影響.隨著C/Si比的減小,退火后樣品的摻雜磷原子的激活效率隨之改變,表現(xiàn)為載流子濃度先增大后減小的趨勢(shì),這與材料的結(jié)晶程度有很大的關(guān)系.退火后樣品的電導(dǎo)率激活能隨著C/Si比的減小而逐漸減小,費(fèi)米能級(jí)逐漸靠近導(dǎo)帶底,最后位于導(dǎo)帶底甚至進(jìn)入導(dǎo)帶,使材料表現(xiàn)為重?fù)诫s的特性.
【作者單位】： 固體微結(jié)構(gòu)物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 碳硅比 納米晶 碳化硅 暗電導(dǎo)率 電學(xué)性質(zhì)
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11274155) 江蘇省“333”工程(BRA2015284) 江蘇省2015年度普通高校研究生實(shí)踐創(chuàng)新計(jì)劃(SJLX15_0019)
【分類號(hào)】：TN304.24;O484
【正文快照】： activation energy are also significant.The dopant activation effect changes in the form of the carrier concentration,which increases firstly and then decreases slightly with reducing the C/Si ratio,representing a close relation to thecrystal degree.Furth

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 唐利斌;姬榮斌;宋立媛;陳雪梅;李永亮;榮百煉;宋炳文;;有機(jī)紅外半導(dǎo)體酞菁鉺的摻雜及電學(xué)性質(zhì)研究[J];物理學(xué)報(bào);2008年11期

2 陳開茅,孫文紅,秦國(guó)剛,吳克,李傳義,章其麟,周錫煌,顧鎮(zhèn)南;固體C_(60)/n-GaN接觸的電學(xué)性質(zhì)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1999年04期

3 曹學(xué)強(qiáng)，蘇鏘，王鴻燕;離子取代對(duì)La_2CuO_4電學(xué)性質(zhì)的影響[J];湖南師范大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報(bào);1995年04期

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5 陳開茅，賈勇強(qiáng)，吳克，金泗軒，李傳義，周錫煌，顧鎮(zhèn)南;固體C_（70）／P型Si接觸的電學(xué)性質(zhì)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1995年10期

6 郭彥;高筱玲;趙健偉;田燕妮;;蛋白質(zhì)分子的電學(xué)性質(zhì)、結(jié)構(gòu)與生物活性[J];化學(xué)進(jìn)展;2008年06期

7 董會(huì)寧,楊文穎;α－Si：H快速退火電學(xué)性質(zhì)的研究[J];四川師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);1996年05期

8 周潔;王占國(guó);劉志剛;王萬年;尤興Q，

本文編號(hào)：592570