本文關(guān)鍵詞：利用橢偏儀研究氫氣退火處理對ZnO-Ga薄膜光學(xué)性能的影響（英文）

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【摘要】：通過溶膠凝膠技術(shù)制備了不同Ga摻雜含量的Zn O透明導(dǎo)電薄膜,研究了Ga摻雜對GZO薄膜結(jié)構(gòu)、電學(xué)及光學(xué)性能的影響.從X射線衍射光譜分析,所有薄膜均表現(xiàn)為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),經(jīng)過氫氣退火處理之后,薄膜的電學(xué)性能均得到提高,當(dāng)Ga摻雜含量為5 at%時,得到薄膜的電阻率為3.410×10-3Ω·cm.利用可變?nèi)肷浣菣E圓偏振光譜儀(VASE)在270~1 600 nm波長范圍內(nèi)研究了GZO薄膜折射率和消光系數(shù)的變化,采用雙振子模型對實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合.
【作者單位】： 蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院磁學(xué)與磁性材料教育部重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： GZO薄膜 氫處理 橢圓偏振光譜儀 雙振子模型
【基金】：Supported by the National Natural Science Foundation of China(51371093) Program for Changjiang Scholars and Innovative Research Team in University(IRT1251)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： IntroductionTransparent conductive oxide(TCO)thin filmshave been widely used in optoelectronic industry,suchas displays,organic light-emitting diodes,solar cells,piezoelectric transducers,gas sensors,and other optoe-lectronic devices[1-5].Among the vario

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1 張惠;沈鴻烈;尹玉剛;李斌斌;;襯底溫度和氫氣退火對ZnO:Al薄膜性能的影響[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報;2010年01期

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1 惠文淵;鋯鈦酸鉛PZT薄膜制備及氫氣退火研究[D];復(fù)旦大學(xué);2012年

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本文編號：582717