本文關(guān)鍵詞：硅基鍺薄膜的紅外吸收譜和電學(xué)特性

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【摘要】：為了解退火對(duì)硅基鍺薄膜的質(zhì)量、紅外吸收、透射率和電學(xué)性質(zhì)的影響,采用分子束外延方法用兩步法在硅基上生長(zhǎng)鍺薄膜。將生長(zhǎng)后的樣品分成兩部分,其中一部分進(jìn)行了退火處理。對(duì)退火前后的樣品用高分辨X射線雙晶衍射儀測(cè)量了(400)晶面的X射線雙晶衍射搖擺曲線,用傅里葉紅外光譜儀測(cè)量了紅外透射率和吸收譜,并用霍爾效應(yīng)儀測(cè)量了退火前后樣品的載流子濃度、遷移率、電阻率、電導(dǎo)率和霍爾系數(shù)。結(jié)果表明,退火后的薄膜質(zhì)量明顯提高。退火后大部分區(qū)域吸收增大,透射率明顯減小,615~3 730 cm-1區(qū)間的透射率均比退火前降低了20%以上。退火后的體載流子濃度增大到退火前的23.26倍,遷移率增大到退火前的27.82倍。
【作者單位】： 內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)理學(xué)院;上海海事大學(xué)文理學(xué)院;烏蘭察布廣播電視臺(tái);
【關(guān)鍵詞】： 硅基鍺薄膜 紅外吸收譜 載流子濃度 遷移率 電導(dǎo)率
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11272142,51261017,11562016,61366008) 內(nèi)蒙古自治區(qū)自然科學(xué)基金(2013MS0107) 內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)校重點(diǎn)項(xiàng)目(ZD201220)資助
【分類號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： 1引言鍺具有優(yōu)異的物理、化學(xué)特性,是制造紅外探測(cè)器、光導(dǎo)纖維、高速微電子器件、集成電路和熱電設(shè)備的首選材料之一。電阻率均勻的鍺單晶材料在1~3μm、3~5μm、8~12μm的紅外波段對(duì)光有較高的透過率,可用作紅外光學(xué)器件和棱鏡[1]。此外,半導(dǎo)體鍺在常規(guī)光通信波段1.3~1.6μm

【相似文獻(xiàn)】

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1 毛友德;楊國(guó)偉;;DLC膜的制備、結(jié)構(gòu)、性能研究[J];功能材料;1992年02期

2 胥榮,湯宏,李村涓,鮮于澤;Bi系高溫超導(dǎo)體紅外吸收譜研究[J];低溫與超導(dǎo);1997年03期

3 劉江平;畢鵬;雷海樂;黎軍;韋建軍;;近三相點(diǎn)溫度低溫固體氘的紅外吸收譜[J];物理學(xué)報(bào);2013年16期

4 王濤;張立德;;納米氮化硅紅外吸收譜的“藍(lán)移”和“寬化”現(xiàn)象[J];中國(guó)科學(xué)院大學(xué)學(xué)報(bào);1993年04期

5 ;[J];;年期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 趙勇;盧遵銘;孟祥熙;李養(yǎng)賢;;La_(0.27)Pr_(0.40)Ca_(0.33)MnO_3的紅外吸收光譜研究[A];第十四屆全國(guó)分子光譜學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2006年

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本文編號(hào)：575408