本文關(guān)鍵詞：Sn摻雜ZnO薄膜的室溫氣敏性能及其氣敏機理

  更多相關(guān)文章： 四足狀ZnO 化學(xué)氣相沉積 室溫氣敏性 缺陷

【摘要】：采用化學(xué)氣相沉積方法在預(yù)制好電極的玻璃基底上制備出Sn摻雜ZnO薄膜和純ZnO薄膜.兩種樣品典型的形貌為四足狀ZnO晶須,其直徑約為150—400 nm,呈疏松狀結(jié)構(gòu).氣敏測試結(jié)果顯示Sn摻雜ZnO薄膜具有優(yōu)良的室溫氣敏性,并對乙醇具有良好的氣敏選擇性,而純ZnO薄膜在室溫條件下對乙醇和丙酮均沒有氣敏響應(yīng).X射線衍射結(jié)果表明兩種樣品均為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu).Sn摻雜ZnO樣品中沒有出現(xiàn)Sn及其氧化物的衍射峰,其衍射結(jié)果與純ZnO樣品對比,衍射峰向小角度偏移.光致發(fā)光結(jié)果表明,Sn摻雜ZnO薄膜與純ZnO薄膜均出現(xiàn)紫外發(fā)光峰和缺陷發(fā)光峰,但是Sn的摻雜使得ZnO的缺陷發(fā)光峰明顯增強.將Sn摻雜ZnO樣品在空氣中退火后,其室溫氣敏性消失,說明Sn摻雜ZnO樣品的室溫氣敏性可能與其缺陷含量高有關(guān).采用自由電子散射模型解釋了Sn摻雜ZnO薄膜的室溫氣敏機理.
【作者單位】： 北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 四足狀ZnO 化學(xué)氣相沉積 室溫氣敏性 缺陷
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準號:50502005,11175014) 新世紀優(yōu)秀人才計劃(批準號:NCET-07-0065)資助的課題~~
【分類號】：O484.1
【正文快照】： 1引言Zn O是一種典型的直接帶隙n型半導(dǎo)體,常溫下禁帶寬度為3.37 e V,激子結(jié)合能高達60 me V.由于其化學(xué)穩(wěn)定性好、無毒性、易摻雜、原材料豐富等特點,在激光、發(fā)光材料[1,2]、場發(fā)射[3]、光伏[4]以及探測器等[5]領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用.與此同時,Zn O在室溫氣敏傳感器領(lǐng)域的應(yīng)

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本文編號：564820