本文關(guān)鍵詞：碳納米管薄膜場(chǎng)蒸發(fā)效應(yīng)

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【摘要】：在超高真空系統(tǒng)中對(duì)基于絲網(wǎng)印刷方法制備的碳納米管薄膜的場(chǎng)蒸發(fā)效應(yīng)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),碳納米管薄膜樣品存在場(chǎng)蒸發(fā)現(xiàn)象,蒸發(fā)閾值場(chǎng)在10.0—12.6 V/nm之間,蒸發(fā)離子流可以達(dá)到百皮安量級(jí);掃描電子顯微鏡分析和場(chǎng)致電子發(fā)射測(cè)量結(jié)果表明,場(chǎng)蒸發(fā)會(huì)使碳納米管分布變得更加不均勻,會(huì)導(dǎo)致薄膜的場(chǎng)致電子發(fā)射開啟電壓上升(240→300 V)、場(chǎng)增強(qiáng)因子下降(8300→4200)、蒸發(fā)閾值場(chǎng)上升(10→12.6 V/nm),同時(shí)使得薄膜場(chǎng)致電子發(fā)射的可重復(fù)性明顯變好.場(chǎng)蒸發(fā)也是薄膜自身電場(chǎng)一致性修復(fù)的表現(xiàn),這種修復(fù)并非表現(xiàn)在形貌上,而是不同區(qū)域場(chǎng)增強(qiáng)因子之間的差距會(huì)越來(lái)越小,這樣薄膜場(chǎng)致電子發(fā)射的可重復(fù)性和穩(wěn)定性自然會(huì)得到改善.
【作者單位】： 蘭州大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;中國(guó)工程物理研究院電子工程研究所;東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 碳納米管 場(chǎng)蒸發(fā) 場(chǎng)致電子發(fā)射 場(chǎng)增強(qiáng)因子
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):11375155,11375077)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TB383.1;TB383.2
【正文快照】： 1引言自1991年日本NEC的Iijima觀察到碳納米管以來(lái)[1],因其特殊的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)[2,3]和優(yōu)異的力學(xué)[4]、電學(xué)[5]、光學(xué)[6,7]、熱學(xué)[8]及生化性能[9],使得碳納米管在微納機(jī)電系統(tǒng)等領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用前景,如:氣體傳感器[10 12]、場(chǎng)電離源[13 16],電極材料[17,18]、儲(chǔ)氫材料[19 2

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本文編號(hào)：548462