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濺射時間對GZO薄膜光電性能的影響

發(fā)布時間:2017-07-16 10:06

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【摘要】:采用射頻磁控濺射法在普通玻璃襯底上制備了Ga_2O_3含量為3wt.%的摻鎵氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜(GZO)。通過X射線衍射儀(XRD)、場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)、四探針測試儀、臺階儀、UV-Vis-NIR3600型紫外-可見分光光度計研究了濺射時間對薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌及光電性能的影響。結(jié)果表明,濺射時間為40 min時制備的GZO薄膜的光電綜合性能最好,可見光區(qū)透過率峰值86%,方阻為16.4Ω/□,電阻率為1.18×10-3Ω·cm,性能指數(shù)ΦTC為4.73×10~(-3)Ω-1;隨著濺射時間增加,薄膜光學(xué)帶系從3.69 e V減少到3.56 e V。在濺射時間60 min時結(jié)晶度最高,方塊電阻為9.0Ω/□,電阻率最低為9.7×10-4Ω·cm,可見光透過率峰值為81%。
【作者單位】: 武漢理工大學(xué)硅酸鹽建筑材料國家重點(diǎn)實驗室;江蘇秀強(qiáng)玻璃工藝股份有限公司;
【關(guān)鍵詞】GZO薄膜 濺射時間 光電性能 射頻磁控濺射
【基金】:湖北省重大科技創(chuàng)新計劃項目(2013AAA005)
【分類號】:TB383.2
【正文快照】: 1引言透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜具有良好的導(dǎo)電性和高的可見光區(qū)透過率,在許多領(lǐng)域有著非常廣闊的應(yīng)用,如液晶顯示、觸摸屏、薄膜太陽能電池等。TCO還具有在近紅外區(qū)高反射、紫外區(qū)高吸收及對微波衰減性較強(qiáng)等特點(diǎn),故常應(yīng)用于紅外隱身材料、建筑玻璃隔熱膜、電磁屏蔽和防靜電膜

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1 季鑫;周細(xì)應(yīng);宓一鳴;;磁控濺射制備Al-Cu-Fe薄膜不同濺射時間的生長行為[J];材料導(dǎo)報;2010年04期

2 ;[J];;年期

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 樊子銘;射頻磁控濺射非晶Al_2O_3薄膜制備與性能研究[D];遼寧科技大學(xué);2014年



本文編號:548139

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