本文關(guān)鍵詞：電化學(xué)沉積Nd摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的研究（英文），由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：用電化學(xué)沉積方法制備出了Nd摻雜的ZnO薄膜,并研究其結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。X射線衍射譜的結(jié)果表明Nd~(3+)替代Zn2+進(jìn)入到ZnO晶格中,并沒有引起雜相的出現(xiàn)。吸收譜的分析表明,隨著摻雜濃度的增大,吸收峰向短波長方向移動(dòng),即發(fā)生藍(lán)移。光致發(fā)光譜的結(jié)果表明隨著Nd~(3+)摻雜濃度的增大,紫外峰強(qiáng)度減小,可見光部分強(qiáng)度增大了。
【作者單位】： 長春工程學(xué)院;中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 釹摻雜氧化鋅 光學(xué)吸收 光致發(fā)光
【基金】：National Natural Science Foundation of China(11104018,11372309) Education Department of Jilin Province(2012284,2014321)
【分類號(hào)】：TN304.21;TB383.2
【正文快照】： Recently the optical properties of semiconductor crystalsare extensively studied;in particular,high quality II-VIsemiconductor samples have been prepared and theirluminescence properties have been studied bothexperimentally and theoretically.Moreover Zn

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 張永強(qiáng);鮑改玲;張建民;;氧化鋅薄膜的電化學(xué)沉積和表征[J];材料導(dǎo)報(bào);2007年09期

2 陶菲菲;徐正;;枝狀晶體銅的電化學(xué)制備[J];材料工程;2008年10期

3 吳免利;李R，

本文編號(hào)：481980