本文關(guān)鍵詞：蒸發(fā)電流對(duì)CdSe薄膜的結(jié)晶性能影響研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用真空熱蒸發(fā)技術(shù),選取系列蒸發(fā)電流在光學(xué)玻璃基底上制備出Cd Se薄膜。利用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡和原子力顯微鏡對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行了表征。結(jié)果顯示:蒸發(fā)電流為75 A時(shí),Cd Se薄膜沿(002)方向擇優(yōu)生長(zhǎng),衍射峰較強(qiáng),半峰寬較小,晶粒(約48 nm)分布較均勻,表面粗糙度低(5.58 nm),無(wú)裂紋。蒸發(fā)電流不改變薄膜的結(jié)晶取向,但電流過(guò)低時(shí),薄膜的表面顆粒輪廓模糊且有間隙,結(jié)晶性差;電流高于75 A時(shí),隨電流升高,薄膜結(jié)晶性逐步降低,顆粒變小,半峰寬變大,部分樣品表面晶粒生長(zhǎng)不完整,表面出現(xiàn)裂紋。
【作者單位】： 西華師范大學(xué)物理與空間科學(xué)學(xué)院;中國(guó)科學(xué)院國(guó)家天文臺(tái);
【關(guān)鍵詞】： CdSe薄膜 熱蒸發(fā) 蒸發(fā)電流 結(jié)晶
【基金】：四川省科技廳應(yīng)用基礎(chǔ)項(xiàng)目(2014JY0133) 中國(guó)科學(xué)院太陽(yáng)活動(dòng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題(KLSA201514)
【分類(lèi)號(hào)】：O484.4
【正文快照】： (Received 22 April 2016,accepted 20 July 2016)1引言Cd Se是一種典型的直接躍遷的寬帶隙II-VI族化合物半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度(1.74 e V)與太陽(yáng)光譜中可見(jiàn)光的波段相匹配,且具有獨(dú)特的光電性能而被廣泛關(guān)注[1-3]。采用不同方法制備出不同結(jié)構(gòu)、維度、形態(tài)的Cd Se材料在光

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本文編號(hào)：477328