發(fā)布時間：2017-06-20 19:17

  本文關(guān)鍵詞：射頻功率對富硅-氮化硅薄膜結(jié)構(gòu)及性質(zhì)影響，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法,以SiH_4、NH_3和N_2為反應(yīng)氣源,通過改變射頻功率制備富硅-氮化硅薄膜材料。利用傅里葉變換紅外吸收光譜,紫外-可見光透射光譜,掃描電鏡等對薄膜材料結(jié)構(gòu)與性質(zhì)進行表征。實驗表明,隨著射頻功率的逐漸增加,薄膜光學(xué)帶隙緩慢減小、有序度增加,薄膜材料中的Si-H鍵、N-H鍵緩慢減小,Si-N鍵增多。分析結(jié)果發(fā)現(xiàn),適量的增加射頻功率有利于提高樣品反應(yīng)速率,使薄膜有序度增加,致密性增強,提高薄膜質(zhì)量,但過高的射頻功率會使薄膜質(zhì)量變差。
【作者單位】： 內(nèi)蒙古師范大學(xué)物理與電子信息學(xué)院功能材料物理與化學(xué)自治區(qū)重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 富硅-氮化硅薄膜 等離子增強化學(xué)氣相沉積 射頻功率 沉積速率
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51262022)
【分類號】：O613.72;TB383.2
【正文快照】： 1引言氮化硅薄膜因其高致密性、高絕緣強度、高折射率等良好的性質(zhì),被廣泛應(yīng)用于太陽能電池、微電子學(xué)等領(lǐng)域[1-3]。而今,隨著高效太陽能電池材料的不斷深入研究,包埋硅納米顆粒的介質(zhì)薄膜因具有帶隙可調(diào)等優(yōu)點,而被用于制備新型的太陽能電池當(dāng)中,且逐漸被業(yè)內(nèi)人士所重點研究[

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1 劉全吉,遲會,逯笑波,岑明;等離子發(fā)射光譜法同時測定水中十二種微量元素[J];化學(xué)工程師;1999年06期

2 ;[J];;年期

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本文編號：466659