透明導電薄膜(TCFs)作為柔性顯示器件的關(guān)鍵層,其性能直接影響著柔性電子產(chǎn)品的質(zhì)量。而納米銀線因其優(yōu)異的特性,成為柔性TCFs的最佳導電電極。研究高長徑比納米銀線的制備工藝、墨水化技術(shù)以及薄膜制備的后處理工藝對提高柔性TCFs性能具有很重要的意義。研究納米銀線的生長過程,探討了 AgCl晶種與銀源AgN03物質(zhì)的量的比和反應(yīng)時間以及反應(yīng)溫度、金屬離子對納米銀線形貌的影響。通過SEM、TEM、XRD、紫外可見光光譜等測試方法,研究得出在反應(yīng)溶液中有微量CuCl)存在的條件下,反應(yīng)溫度為150℃、AgCl與AgNO3的物質(zhì)的量比為1:5、反應(yīng)時間為4min時,制備的納米銀線純度高,平均直徑52 nm,長徑比超過了 1000。高穩(wěn)定性的納米銀線墨水對提高納米銀線的應(yīng)用性能有著很重要的作用。將甘油、三乙醇胺和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)與水混合,制備了能夠穩(wěn)定儲存納米銀線的墨水。探討了甘油與三乙醇胺的體積比、PVP的濃度和分子量對納米銀線墨水穩(wěn)定性的影響。研究結(jié)果表明,PVP與三乙醇胺因吸附在納米銀線表面以及改變了混合溶劑的Hildebrand/Hansen溶解參數(shù),從而提高了納米銀線墨水的穩(wěn)定...

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．４多重孿晶生長示意圖１４９１??Ｆｉｇ．?１．４?Ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｍｕｌｔｉ?ｔｗｉｎｎｅｄ?ｃｒｙｓｔａｌ１４９１??

Ｉ?１?Ｉ??Ｊｉｌｌ??圖１．４多重孿晶生長示意圖１４９１??Ｆｉｇ．?１．４?Ｔｈｅ?ｇｒｏｗｔｈ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｍｕｌｔｉ?ｔｗｉｎｎｅｄ?ｃｒｙｓｔａｌ１４９１??Ｋｕｏ等人提出了新穎的的晶體自組裝理論［５（）］。他們認為在１６０?°Ｃ的溫度下，在含??有ＡｇＮ０....

圖１．６納米銀線異相成核和生長的示意圖１５１１??Ｆｉｇ．?１．６?Ｄｅｐｉｃｔｉｏｎ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ?ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ?ａｎｄ?ｇｉ＇ｏｗｔｈ?ｆｏｒ?Ａｇ?ＮＷｓ１５＇１??

原子部分生長成孿晶顆粒，這些孿晶顆粒在ＰＶＰ的包覆作用下，逐漸生長成納米銀線。??最后，他們將溶液中的ＡｇＣｌ用氨水除去，得到純凈的納米銀線。該小組后續(xù)進行了詳??細實驗，驗證了此生長機理，示意圖如圖１．６所示。并且證實了納米銀線的長度、直徑??與反應(yīng)生成的ＡｇＣｌ顆粒的尺寸有關(guān)....

圖１．７?ＡｇＮＷｓ／ＰＶＡ復(fù)合薄膜的制備示意圖｜６（？丨??

有比較好的親水性能，并且材料易得、價格低。ＭＣＥ膜耐水相溶液，在ｐＨ?４￣４．圍內(nèi)穩(wěn)定，但是不耐酸堿以及一些有機溶劑，最高可承受的溫度約為１３０?°Ｃ。ＭＣＥ膜在微觀上孔洞分布比較均勻，而其中很重要的一個特性是用丙酮氣體熏洞會塌陷而閉合，此時薄膜會從白色變?yōu)橥该鳎郏叮常荨＃停茫拍?...

圖１．８?ＰＤＭＳ膜上納米銀線圖案化過程示意圖１７２１??

＾?續(xù)ｉＯＯｊｉｍ?ｌ?：Ｓ；＾??ＴＥＯＳ－０２?ｔｒｅａｔｅｄ?ＰＤＭＳ?ｓｕｂｓｔｒａｔｅ?腰?Ｐａｒｙｉｅｎｅ?Ｃ?ＡｇＮＷ??圖１．８?ＰＤＭＳ膜上納米銀線圖案化過程示意圖１７２１??Ｆｉｇ．?１．８?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｓｈｏｗｉｎｇ?ｔｈｅ?ｐｒｏｃｅｄｕｒｅｓ?ｆ....

本文編號：3903053