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基于鍵合工藝制備滿足射頻濾波器應(yīng)用的壓電薄膜材料的研究和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

發(fā)布時(shí)間:2023-09-28 23:49
  傳統(tǒng)的SAW制備在LiNbO3(LNO)、LiTiO3(LTO)等體壓電材料上。這些體單晶材料的主要問題是成本較高且不與CMOS工藝兼容。近年來,越來越多的研究者開始致力于開發(fā)薄膜SAW器件。本文針對(duì)基于鍵合工藝制備LiNbO3和LiTiO3薄膜材料的研究進(jìn)展及其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展進(jìn)行了綜合闡述,為后續(xù)研究提供一定的參考。

【文章頁數(shù)】:6 頁

【文章目錄】:
0 聲學(xué)波濾波器原理簡(jiǎn)介
1 基于鍵合工藝制備LiNbO3和LiTiO3薄膜材料的研究進(jìn)展
    (1)基于鍵合工藝制備應(yīng)用于SAW的LNO和LTO薄膜材料的研究進(jìn)展
    (2)基于鍵合工藝制備應(yīng)用于BAW的LNO薄膜材料的研究進(jìn)展
2 基于鍵合工藝制備的壓電薄膜材料的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展



本文編號(hào):3848859

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