利用薄膜材料進(jìn)行電磁波吸收是電磁波吸收材料領(lǐng)域的新興發(fā)展方向之一。本文利用金屬/介質(zhì)薄膜材料制備出薄膜型Salisbury屏吸波結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上,又通過(guò)在復(fù)合薄膜上設(shè)計(jì)阻抗型頻率選擇表面(Frequency Selective Surface)結(jié)構(gòu)對(duì)其進(jìn)行了改進(jìn)設(shè)計(jì),采用等效電路模型和電磁全波仿真對(duì)吸波結(jié)構(gòu)的電磁性能進(jìn)行了計(jì)算和優(yōu)化,使新型吸波結(jié)構(gòu)的性能有了顯著的改善。在實(shí)驗(yàn)方面,本文采用電子束蒸發(fā)鍍膜法,結(jié)合掩板技術(shù)制備了基于金屬/介質(zhì)納米多層膜的薄膜材料和頻率選擇表面結(jié)構(gòu),并以此為基礎(chǔ)構(gòu)建了我們?cè)O(shè)計(jì)的吸波結(jié)構(gòu);利用自由空間法進(jìn)行透射測(cè)量,定性地對(duì)薄膜材料的電磁參數(shù)進(jìn)行了分析;利用弓形架測(cè)試法測(cè)量了該吸波結(jié)構(gòu)的平板反射率,測(cè)量結(jié)果與仿真基本吻合,顯示引入頻率選擇表面能夠有效減小吸波結(jié)構(gòu)厚度,并能夠拓展工作頻帶、提升吸波性能。這種新型吸波結(jié)構(gòu)具有參數(shù)可調(diào)、重量極輕、可柔性制造等多種優(yōu)點(diǎn),在電磁防護(hù)、電磁兼容、雷達(dá)隱身等方面將具有良好的應(yīng)用前景。本文的主要工作包括以下幾個(gè)方面:1、簡(jiǎn)要闡述了薄膜材料在光學(xué)和電磁學(xué)領(lǐng)域的研究背景,介紹了納米金屬薄膜的電磁特性、應(yīng)用以及在電磁波吸收領(lǐng)域的研究...

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 薄膜材料的應(yīng)用
        1.2.1 薄膜材料的光學(xué)應(yīng)用
        1.2.2 薄膜材料的電磁學(xué)應(yīng)用
    1.3 納米金屬薄膜
        1.3.1 納米金屬薄膜的電磁特性
        1.3.2 納米金屬薄膜的應(yīng)用
            1.3.2.1 納米金屬薄膜的光學(xué)應(yīng)用
            1.3.2.2 納米金屬薄膜的電磁吸波應(yīng)用
    1.4 頻率選擇表面吸波結(jié)構(gòu)的研究進(jìn)展
    1.5 本文的主要研究?jī)?nèi)容
    參考文獻(xiàn)
第二章 薄膜型Salisbury屏吸波結(jié)構(gòu)
    2.1 引言
    2.2 Salisbury屏
        2.2.1 單層Salisbury屏的分析
            2.2.1.1 電損耗型
            2.2.1.2 磁損耗型
            2.2.1.3 任意損耗型
        2.2.2 Salisbury屏吸波結(jié)構(gòu)性能影響因素分析
            2.2.2.1 薄膜表面阻抗對(duì)Salisbury屏吸波結(jié)構(gòu)性能的影響
            2.2.2.2 介質(zhì)基底層參數(shù)對(duì)Salisbury屏吸波結(jié)構(gòu)性能的影響
    2.3 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第三章 阻抗型頻率選擇表面吸波結(jié)構(gòu)
    3.1 引言
    3.2 頻率選擇表面簡(jiǎn)介及分類
        3.2.1 頻率選擇表面簡(jiǎn)介
        3.2.2 頻率選擇表面的分類
    3.3 頻率選擇表面的設(shè)計(jì)與分析方法
    3.4 阻抗型頻率選擇表面的等效電路模型分析
    3.5 影響阻抗型頻率選擇表面吸波結(jié)構(gòu)性能的因素
        3.5.1 介質(zhì)基底層厚度對(duì)吸波結(jié)構(gòu)性能的影響
        3.5.2 頻率選擇表面周期單元參數(shù)對(duì)吸波結(jié)構(gòu)性能的影響
            3.5.2.1 表面阻抗對(duì)吸波結(jié)構(gòu)工作性能的影響
            3.5.2.2 方格邊長(zhǎng)對(duì)吸波結(jié)構(gòu)工作性能的影響
            3.5.2.3 方格間隙對(duì)吸波結(jié)構(gòu)工作性能的影響
    3.6 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第四章 基于納米金屬/介質(zhì)薄膜的吸波結(jié)構(gòu)的制備
    4.1 引言
    4.2 多層納米金屬/介質(zhì)薄膜吸波結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
    4.3 薄膜材料的制備方法
        4.3.1 化學(xué)氣相沉積
        4.3.2 物理氣相沉積
            4.3.2.1 濺射法
            4.3.2.2 蒸發(fā)法
            4.3.2.3 電子束蒸發(fā)法的優(yōu)點(diǎn)
    4.4 多層納米金屬/介質(zhì)薄膜吸波結(jié)構(gòu)的制備
        4.4.1 鍍膜設(shè)備介紹
        4.4.2 薄膜制備過(guò)程
        4.4.3 薄膜厚度的測(cè)量與修正
        4.4.4 阻抗型頻率選擇表面吸波結(jié)構(gòu)的制備
    4.5 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第五章 吸波結(jié)構(gòu)性能測(cè)量及分析
    5.1 引言
    5.2 測(cè)量系統(tǒng)與原理介紹
        5.2.1 弓形架測(cè)試法反射測(cè)量系統(tǒng)
        5.2.2 自由空間法透射測(cè)量系統(tǒng)
            5.2.2.1 自由空間法透射測(cè)量系統(tǒng)介紹
            5.2.2.2 自由空間法透射測(cè)量基本原理
            5.2.2.3 自由空間法透射測(cè)量系統(tǒng)的TRL校準(zhǔn)
        5.2.3 時(shí)域門技術(shù)
    5.3 吸波結(jié)構(gòu)性能測(cè)量
        5.3.1 薄膜型Salisbury屏吸波結(jié)構(gòu)性能測(cè)量
        5.3.2 阻抗型頻率選擇表面屏吸波結(jié)構(gòu)性能測(cè)量
    5.4 薄膜型吸波材料透射測(cè)量
    5.5 小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第六章 總結(jié)與展望
    6.1 總結(jié)
    6.2 展望
攻讀碩士期間的成果
致謝



本文編號(hào)：3815877