采用電化學(xué)方法制備了鉭電解電容器陽極.通過場發(fā)射掃描電鏡和理論分析對鉭陽極斷面的曲面結(jié)構(gòu)特征及其形成機(jī)理進(jìn)行了研究.研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)Ta/Ta₂O₅的薄膜曲界面存在間隙層(<1nm),該間隙層為氧空位及其缺陷離子遷移所致;曲面結(jié)構(gòu)的應(yīng)力模型表明曲面薄膜界面的電化學(xué)生長過程生產(chǎn)缺陷濃度高于平面系統(tǒng),討論了鉭電解電容器曲面薄膜的形成過程對電場應(yīng)力畸變屏蔽的機(jī)理.

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【文章目錄】：
1 前言
2 實(shí)驗(yàn)部分
3 結(jié)果與討論
    3.1 薄膜斷面形貌及簡化模型
    3.2 曲面薄膜生長電化學(xué)過程
    3.3 曲面應(yīng)力與缺陷模型
4 結(jié)論



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