磁控濺射制備高透明導(dǎo)電Ag膜及SnO 2 /Ag/SnO 2 復(fù)合膜的研究
發(fā)布時間:2022-12-25 17:40
基于超薄金屬膜的TCO/M/TCO三層膜具有較好的透明導(dǎo)電性能,是光電材料領(lǐng)域的研究熱點。研究表明,中間金屬層對三層膜的透明導(dǎo)電性能的影響顯著。因此,本文首先在兩種沉積速率(0.065 nm/s和0.75 nm/s)和沉積氣氛(Ar、Ar+H2和Ar+N2)下制備了一系列不同厚度的Ag膜;系統(tǒng)研究了沉積速率和沉積氣氛對Ag膜結(jié)構(gòu)、表面粗糙度及透明導(dǎo)電性能的影響。隨后在對單層Ag膜研究的基礎(chǔ)上,制備了SnO2/Ag/SnO2三層膜,探討Ag層的沉積速率和沉積氣氛對三層膜透明導(dǎo)電性能的影響。得到主要結(jié)果如下:(1)高沉積速率下制備的Ag膜晶粒尺寸大,結(jié)晶性強且表面粗糙度小。與低沉積速率下制備的Ag膜相比,高沉積速率下制備的Ag膜具有更好的導(dǎo)電性能,并且在膜厚較低時也具有更好的透光性,但是當Ag膜厚度較大時,其透光率更低。與在純Ar氣氛下制備的Ag膜相比,在Ar+H2氣氛下制備得到的Ag膜具有更大的晶粒尺寸和粗糙的表面;在Ar+N2氣氛下制備得到的Ag膜表面更光...
【文章頁數(shù)】:87 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
霍爾效應(yīng)原理圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]射頻反應(yīng)磁控濺射制備的SnO2及SnO2:F薄膜結(jié)構(gòu)與透明導(dǎo)電性能[J]. 楊玉婷,祝柏林,謝挺,張俊峰,吳雋,甘章華,劉靜. 硅酸鹽學(xué)報. 2017(04)
[2]ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法及研究進展[J]. 江自然. 材料開發(fā)與應(yīng)用. 2010(04)
[3]玻璃基Ag膜層厚度與其表面形貌和性能的關(guān)系[J]. 趙青南,馬鳴明,董玉紅,汪振東,趙修建,高必新. 武漢理工大學(xué)學(xué)報. 2009(04)
本文編號:3727062
【文章頁數(shù)】:87 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
霍爾效應(yīng)原理圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]射頻反應(yīng)磁控濺射制備的SnO2及SnO2:F薄膜結(jié)構(gòu)與透明導(dǎo)電性能[J]. 楊玉婷,祝柏林,謝挺,張俊峰,吳雋,甘章華,劉靜. 硅酸鹽學(xué)報. 2017(04)
[2]ITO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法及研究進展[J]. 江自然. 材料開發(fā)與應(yīng)用. 2010(04)
[3]玻璃基Ag膜層厚度與其表面形貌和性能的關(guān)系[J]. 趙青南,馬鳴明,董玉紅,汪振東,趙修建,高必新. 武漢理工大學(xué)學(xué)報. 2009(04)
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