絕緣體上壓電單晶薄膜結(jié)構(gòu)材料（POI）為研制高性能、可集成的聲表面波（SAW）器件提供了新的解決途徑和方案,可滿足射頻（RF）前端在集成化、小型化發(fā)展趨勢下對新一代壓電聲學(xué)器件的需求。該文介紹了POI的制備工藝技術(shù)�？偨Y(jié)了基于鈮酸鋰/鉭酸鋰-POI（LN/LT-POI）多層結(jié)構(gòu)的高性能SAW器件的最新研究成果,并展望了其未來的發(fā)展。 

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【文章目錄】：
0 引言
1 絕緣體上LNOI/LTOI的制備方法
2 LN/LT多層結(jié)構(gòu)SAW基片
3 基于LN/LT-POI結(jié)構(gòu)的高性能SAW器件的最新研究成果
    3.1 LN-POI結(jié)構(gòu)SAW器件
        3.1.1 LN-POI多層結(jié)構(gòu)SAW諧振器
        3.1.2 LN-POI多層結(jié)構(gòu)SAW濾波器
    3.2 LT-POI多層結(jié)構(gòu)SAW器件
4 總結(jié)與展望



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