發(fā)布時(shí)間：2022-05-08 10:44

　　通過無機(jī)溶膠-凝膠法和真空退火工藝在Al2O3陶瓷基片上制備出VO2薄膜,通過在薄膜上施加高電壓,并結(jié)合溫度控制系統(tǒng)的方法,研究相變過程中外部溫度對(duì)二氧化釩臨界相變電場(chǎng)的影響。結(jié)果表明:當(dāng)外部溫度從63.5℃增加到66℃時(shí),相變需要的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度從0.17 MV/m下降到0.065 MV/m;隨著外加電場(chǎng)強(qiáng)度由0.075 MV/m增加到0.2 MV/m時(shí),相變臨界溫度從66℃降低到63.5℃,這說明VO2薄膜的相變存在溫度與電場(chǎng)互相調(diào)控的現(xiàn)象;其相變行為由溫度產(chǎn)生的電子熱運(yùn)動(dòng)能和外場(chǎng)產(chǎn)生的電勢(shì)能協(xié)同控制,但溫度與電場(chǎng)的協(xié)同效應(yīng)并非簡(jiǎn)單的疊加關(guān)系,即外界溫度越低,溫度對(duì)相變電場(chǎng)調(diào)控的效果越明顯,外部電場(chǎng)強(qiáng)度越低,對(duì)相變溫度的調(diào)控越明顯;當(dāng)外加溫度為64~68℃,VO2薄膜相變需要的外部電場(chǎng)強(qiáng)度小于0.1 MV/m,滿足智能電磁防護(hù)材料的要求。這為VO2薄膜應(yīng)用于智能電磁防護(hù)材料提供可能性。 

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 五氧化二釩溶膠的制備
    1.2 基片的清洗
    1.3 提拉鍍膜
    1.4 預(yù)退火處理
    1.5 真空退火處理
2 高電壓測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)
3 結(jié)果及分析
    3.1 外部溫度對(duì)VO2臨界電場(chǎng)的影響
    3.2 VO2薄膜滿足電磁防護(hù)材料的要求
    3.3 外部電場(chǎng)對(duì)VO2相變溫度的影響
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]硅基二氧化釩相變薄膜電學(xué)特性研究[J]. 熊瑛,文岐業(yè),田偉,毛淇,陳智,楊青慧,荊玉蘭.  物理學(xué)報(bào). 2015(01)
[2]金屬Pt薄膜上二氧化釩的制備及其電致相變性能研究[J]. 邱東鴻,文岐業(yè),楊青慧,陳智,荊玉蘭,張懷武.  物理學(xué)報(bào). 2013(21)
[3]智能電磁防護(hù)材料及技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 雷憶三,孫麗君.  現(xiàn)代工業(yè)經(jīng)濟(jì)和信息化. 2012(18)
[4]氣體絕緣組合電器尖端放電發(fā)展過程的試驗(yàn)研究[J]. 王彩雄,唐志國,常文治,鄭書生,李成榕.  電網(wǎng)技術(shù). 2011(11)



本文編號(hào)：3651510