在超高真空條件下,通過脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)制作了Er₂O₃/Al₂O₃/Si多層薄膜結(jié)構(gòu),原位條件下利用X射線光電子能譜（XPS）研究了Al₂O₃作為勢壘層的Er₂O₃與Si界面的電子結(jié)構(gòu)。XPS結(jié)果表明,Al₂O₃中Al的2p芯能級峰在低、高溫退火前后沒有變化;Er的4d芯能級峰來自于硅酸鉺中的鉺,并非全是本征氧化鉺薄膜中的鉺;襯底硅的芯能級峰在沉積Al₂O₃時沒有變化,說明Al₂O₃薄膜從沉積到退火不參與任何反應(yīng),與Si界面很穩(wěn)定;在沉積Er₂O₃薄膜和退火過程中,有硅化物生成,表明Er₂O₃與Si的界面不太穩(wěn)定,但隨著Al₂O₃薄膜厚度的增加... 

【文章來源】：半導(dǎo)體技術(shù). 2017,42(05)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
    1.1 硅片的清洗
    1.2 靶材、樣品托和腔室的處理
    1.3 沉積和測量
2 結(jié)果與討論
    2.1 薄膜厚度的計算
    2.2 Er2O3/Al2O3/Si界面結(jié)構(gòu)
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Optical constants of Er2O3-Al2O3 films studied by spectroscopic ellipsometry[J]. 朱燕艷,方澤波,徐閏.  Journal of Rare Earths. 2011(10)
[2]Structural and optical properties of Er2O3 films[J]. 朱燕艷,方澤波,劉永生.  Journal of Rare Earths. 2010(05)
[3]Leakage current mechanisms of ultrathin high-κ Er2O3 gate dielectric film[J]. 武德起,姚金城,趙紅生,常愛民,李鋒.  半導(dǎo)體學(xué)報. 2009(10)



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