發(fā)布時間：2022-02-15 20:47

　　石墨烯的發(fā)現(xiàn)和大規(guī)模的制備以及應(yīng)用,打開了人們對于二維材料領(lǐng)域的研究思路。其中過渡金屬硫?qū)倩衔铮═MDCs）最為受到研究者的關(guān)注。與石墨烯相比,單層過渡金屬硫?qū)倩衔?如MoS₂、MoSe₂、WS₂和WSe₂都是直接帶隙半導體,填補了石墨烯帶隙為零的缺點。單層TMDCs薄膜是直接帶隙半導體材料,單層到多層TMDCs材料的禁帶寬度變化范圍為1.1².1eV,其禁帶寬度根據(jù)層數(shù)的變化可調(diào),硅材料的禁帶寬度為1.1eV。由于其具有優(yōu)異的電學與光學性能,同時這類材料具備半導體特性,從而使得過渡金屬硫?qū)倩衔镉型蔀槔^石墨烯之后的新型半導體材料。MoS₂作為過渡金屬硫?qū)倩锏拇?其合成方法和相關(guān)應(yīng)用都得到廣泛的研究,而到目前為止有關(guān)WSe₂的報道和研究相對較少。單層WSe₂為禁帶寬度為1.64eV左右的直接帶隙半導體,同時具有優(yōu)異的電學與光學性能,使其可以滿足作為電學器件與光學器件的大部分需求。并且與其他過渡金屬硫?qū)倩?.. 

【文章來源】：電子科技大學四川省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

過渡金屬和三種硫族元素組成的過渡金屬硫?qū)倩衔?br>

WSe2結(jié)構(gòu)示意圖

WSe2材料多型結(jié)構(gòu)示意圖：2H（兩層原子為一個重復(fù)單元，六方對稱，為三角棱柱配位），3R（三層原子為一個重復(fù)單元，菱形對稱，為三角棱柱配位），

【參考文獻】：
碩士論文
[1]層狀過渡金屬硫化物及其納米帶特性的第一性原理研究[D]. 張志祥.華東師范大學 2016



本文編號：3627244