隨著電子科技的發(fā)展,迫切的需要低介電常數(shù)材料來解決因器件尺寸減小、導(dǎo)線密度增加而產(chǎn)生的能耗和功率損耗增加等一系列問題。在聚酰亞胺基體中引入孔洞結(jié)構(gòu)能夠有效降低其介電常數(shù)。然而,截止到目前,引入孔洞的方法往往涉及復(fù)雜的合成和去除模板步驟,孔洞大小、分布以及有序性難以控制,介電常數(shù)降低的同時吸水率升高以及機械性能降低等問題,這就限制了其在更寬廣領(lǐng)域中的應(yīng)用,因此,亟需發(fā)展一種制備低介電聚酰亞胺多孔薄膜的簡便方法。本文研究工作為低介電常數(shù)聚酰亞胺多孔膜的制備提供了簡便廉價的方法,在提高薄膜介電性能的同時優(yōu)化了其抗水和力學(xué)等性能,實現(xiàn)了聚酰亞胺薄膜綜合性能的提升。本文首先以含氟聚酰亞胺（FPI）為聚合物,水滴為模板,利用微乳液滴模板法在聚酰亞胺平膜上構(gòu)筑有序多孔結(jié)構(gòu),進而制備具有單層孔洞結(jié)構(gòu)的聚酰亞胺復(fù)合薄膜（S-PI）。通過控制FPI濃度、成膜的溫度和濕度等因素實現(xiàn)了對多孔結(jié)構(gòu)形貌的調(diào)節(jié),進而實現(xiàn)對復(fù)合薄膜各項性能的調(diào)控。實驗結(jié)果表明:孔洞結(jié)構(gòu)的引入使PI薄膜介電常數(shù)降低至2.36-2.81,同時薄膜的介電損耗在某一頻率內(nèi)得到降低,PI薄膜的吸水率降低至0.72-0.95%,吸水率的降低主要... 

【文章來源】：哈爾濱理工大學(xué)黑龍江省

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

PFCBBPPI合成路線示意圖

-4-圖 1-2 納米多孔 PI 薄膜的制備機理示意圖[28]g. 1-2 Schematic illustration of the preparation of a nanoporous PI film

圖 1-3 GO/PI, OAPS-GO/PI 復(fù)合物的制備過程示意圖[33]heme of the procedure for preparation of GO/PI, OAPS-GO/PI c可以通過二氧化碳發(fā)泡法引入多孔結(jié)構(gòu)，但是此方工藝尚不成熟，很少有人研究[34,35]。綜上所述，引

【參考文獻】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號：3607721