隨著近年來(lái)科技的發(fā)展,特別是航空航天技術(shù)的快速發(fā)展和技術(shù)需求,人們對(duì)空間固體潤(rùn)滑材料性能的標(biāo)準(zhǔn)不斷提高。在解決例如高速、高載、高低溫、高真空和空間輻照等嚴(yán)格要求的特殊工況下的潤(rùn)滑問(wèn)題,作為固體潤(rùn)滑劑的MoS₂薄膜,起到了非常顯著的作用。MoS₂材料自身的層狀結(jié)構(gòu),使得它在真空環(huán)境或惰性氣氛環(huán)境中具有良好的摩擦學(xué)性能。但是在大氣環(huán)境下,特別是在相對(duì)濕度較高的環(huán)境中,薄膜容易發(fā)生氧化現(xiàn)象,使摩擦學(xué)性能受到很大的影響。雖然MoS₂薄膜在空間環(huán)境下得到很好的應(yīng)用,但是在海南文昌衛(wèi)星發(fā)射中心等一些濕度較高的環(huán)境中,航天器的儲(chǔ)存、運(yùn)輸和發(fā)射都必須經(jīng)受嚴(yán)峻的考驗(yàn)。因此,改善MoS₂薄膜在不同濕度環(huán)境下的摩擦學(xué)性能,特別是高濕度環(huán)境下的摩擦學(xué)性能具有重要的意義。本文在304不銹鋼和（100）硅片基底上,利用非平衡磁控濺射的方法制備了MoS₂薄膜與不同含量非金屬元素?fù)诫s的MoS₂/a-C和MoS₂/Si復(fù)合薄膜,以及不同含量金屬元素?fù)诫s的MoS

【文章來(lái)源】：蘭州交通大學(xué)甘肅省

【文章頁(yè)數(shù)】：64 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

MoS2晶體結(jié)構(gòu)示意圖

Spalvins[32]等人首先利用射頻濺射技術(shù)制備 MoS2基薄膜，避帶點(diǎn)離子不能轟擊靶材的問(wèn)題。射頻濺射沉積的 MoS2薄膜結(jié)的柱狀晶結(jié)構(gòu)易于被剪切，其有效的潤(rùn)滑效果主要取決于基底：磁控濺射的原理如圖 1.2 所示是在直流濺射陰極靶材中增束縛和延長(zhǎng)電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡，增加電子與氣體原子的的離化率增加，增加電子的能量，使正離子對(duì)靶材轟擊的濺射與電場(chǎng)垂直，磁場(chǎng)方向與靶材表面平行，并組成環(huán)形磁場(chǎng)。能式在靠近靶材的封閉等離子體中循環(huán)運(yùn)動(dòng)，路程足夠成，電子，待電子能量消耗殆盡時(shí)將落回基體上，并且高密度等離子體正離子可以有效地轟擊靶材表面，而對(duì)基體的轟擊程度很小�？梢越档蜑R射氣壓，從而減小工作氣壓對(duì)被濺射出的原子的擴(kuò)膜-基結(jié)合強(qiáng)度。磁控濺射分為平衡式與非平衡式，平衡靶材鍍-基結(jié)合強(qiáng)度好[31, 33-35]。

蘭州交通大學(xué)工程碩士學(xué)位論文（5）磁控濺射電源、偏壓電源：兩個(gè) Advanced Energy Pinnacle 6x6 DC Power Units直流電源，一個(gè) Advanced Energy Pinnacle Plus 5KW 單元偏壓電源；（6）氣路系統(tǒng)及流量計(jì)：3 路氣體通過(guò)質(zhì)量流量控制，其中兩個(gè)用于控制反應(yīng)氣體；（7）PLC 控制系統(tǒng)：自動(dòng)記錄沉積參數(shù)，狀態(tài)顯示站場(chǎng)模型圖，有序、安全的關(guān)閉程序。電腦控制的全真空系統(tǒng)，便于利用過(guò)程控制配方擦寫(xiě)器進(jìn)行順序更改。

【參考文獻(xiàn)】：
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