在過渡金屬氧化物（TMOs）中,銅氧化物因其豐富的物理性質(zhì)和廣闊的應(yīng)用前景而受到人們的廣泛關(guān)注。銅原子和氧原子可以以不同的比例形成化合物,如Cu₄O₃、CuO、Cu₂O等。對于三維氧化銅材料,人們盡管已經(jīng)進(jìn)行了很多的研究,但仍然存在一些沒有解決的問題,譬如關(guān)于CuO結(jié)構(gòu)的磁性研究在理論和實驗上得到的結(jié)論并不一致甚至完全矛盾。在理論計算上,目前已經(jīng)知道的所有CuO材料都是反鐵磁或者順磁性的,但是實驗上有不少關(guān)于鐵磁性CuO的報道。最近二維材料的研究熱潮也延伸到氧化銅結(jié)構(gòu)。一些二維氧化銅薄膜結(jié)構(gòu)已經(jīng)被提出且有了一些對應(yīng)的實驗研究。這些薄膜材料顯示出跟塊體材料完全不同的性質(zhì)。本論文將對氧化銅結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究,分析三維CuO中鐵磁性的來源問題,并研究一種特殊的二維Cu₃O₂薄膜的電子性質(zhì)。本論文共分為五章。第一章簡單地描述銅氧化物材料的發(fā)展現(xiàn)狀,并介紹Kagome材料的電子性質(zhì)、超導(dǎo)和磁性等以及半金屬材料的電子性質(zhì)。第二章介紹了第一性原理計算理論及基于Hubbard的校正PBE+U方法。第... 

【文章來源】：湘潭大學(xué)湖南省

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

Cu2O結(jié)構(gòu)(a)以及其能帶結(jié)構(gòu)圖(b)

Cu4O3結(jié)構(gòu)圖

Cu4O3結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)圖


本文編號：3530724