目前,納米材料的研究正在全面的展開,這引起了社會各界的高度關(guān)注。納米材料和納米器件對電子器件行業(yè)有著極強的應(yīng)用。目前的有機材料是納米材料中較熱門的話題。有機材料比傳統(tǒng)材料有很多的優(yōu)勢,比如能耗更低、傳輸速度更快、體積更小等。但是有機材料在當(dāng)下還有很多問題有待解決,比如使用壽命、制作工藝等。我們實驗室主要是研究有機薄膜的生長機制和薄膜的表面性質(zhì)。而且當(dāng)前Rubrene在有機發(fā)光二極管、有機場效應(yīng)晶體管及有機太陽能電池等方面有著極大的應(yīng)用�，F(xiàn)在的薄膜生長的控制在工業(yè)上有著舉足輕重的地位,且其條件的探究也一直是實驗室工作的重點。但長出優(yōu)良的薄膜也要有較好的儀器來測量,我們實驗室使用的是低溫掃描隧道顯微鏡（Scanning tunneling microscopy,STM）,掃描隧道顯微鏡不僅能夠提供實空間下的原子量級的分辨圖,而且還可以得到局域電子態(tài)密度。掃描隧道顯微鏡在觀測半導(dǎo)體襯底上生長的薄膜的形貌和一些金屬的形貌效果較好,目前很多小組都在Ag、Cu、Pb、Bi、石墨等襯底上進行樣品的生長和觀測。我們實驗室也曾經(jīng)Bi、Cd等襯底上生長了并五苯、酞箐銅（CuPc）、酞箐鈷（CoPc）等有機... 

【文章來源】：西南大學(xué)重慶市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

Unisoku的UHV-LT-STM系統(tǒng)

這個粒子越過壁壘到達外面的此粒子，所以當(dāng)粒子越過勢壘就會產(chǎn)生了隧的偏壓比較小時，隧道電流大小可以表示為12A SbI V e Vb是加在針尖和樣品之間的偏置電壓，S 是真空中的大小約等于 1�？梢钥闯鰳悠放c針化都是一個量級以上，這樣的特性使得對樣這是針尖和樣品表面電子流動的示意圖。當(dāng)向樣品。當(dāng)處于負偏壓時，電子由樣品的滿，在負偏壓下掃描得到的形貌圖更接近樣品要求要高一些。

圖 2.3 STM 基本結(jié)構(gòu)示意圖圖 2.4 單管壓電陶瓷掃描器中，由于我們需要把針尖靠近樣品到 2 左右，所以一般我們先動調(diào)節(jié)至較近位置，再使用 STM 通過電子系統(tǒng)對針尖進行高精度陶瓷來改變垂直距離，直到達到針尖與樣品能夠發(fā)生隧穿效應(yīng)的目的是為了保護針尖，手動進針很容易出現(xiàn)實撞，所以我們要

【參考文獻】：
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本文編號：3479235