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Cu 2 O/TiO 2 異質(zhì)結(jié)薄膜的制備及其光電性能的研究

發(fā)布時(shí)間:2021-10-29 07:40
  Ti O2作為一種常見的半導(dǎo)體材料,具有絕緣體及金屬材料不具有的優(yōu)點(diǎn)(熱敏性、光電特性和摻雜特性等),在太陽(yáng)能電池、光催化水解、生物醫(yī)學(xué)、廢水處理、土壤凈化、重金屬的去除、食品和化妝品工業(yè)中都有巨大的潛力。然而,禁帶寬度寬及光生電子-空穴容易復(fù)合的缺點(diǎn)大大限制了TiO2在太陽(yáng)能電池中的廣泛應(yīng)用。本文采用Cu2O窄禁帶半導(dǎo)體對(duì)TiO2進(jìn)行復(fù)合,研究制備工藝和Cu2O形貌對(duì)異質(zhì)結(jié)薄膜光電性能的影響,主要內(nèi)容如下:采用水熱的方法成功制備了TiO2納米片,制備好的Ti O2納米片需要在450℃條件下退火2 h,XRD結(jié)果顯示實(shí)驗(yàn)制備的TiO2納米片為銳鈦礦相結(jié)構(gòu),光學(xué)性能測(cè)試顯示TiO2納米片幾乎不吸收可見光,光電化學(xué)測(cè)試顯示純TiO2納米片在可見光光照下產(chǎn)生的光電流值0.048μA/cm2。用Cu2O窄禁帶半導(dǎo)體對(duì)TiO2... 

【文章來(lái)源】:太原理工大學(xué)山西省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

Cu 2 O/TiO 2 異質(zhì)結(jié)薄膜的制備及其光電性能的研究


(a)晶體硅太陽(yáng)能電池;(b)薄膜太陽(yáng)能電池Fig.1-1(a)Crystallinesiliconsolarcells;(b)thin-filmsolarcell

板鈦礦,金紅石,銳鈦礦


晶格常數(shù)/nmb=0.3776 b=0.4548 b=0.918c=0.9486 c=0.2953 c=0.515相對(duì)密度(g/cm3) 3.8 4.2 4.12熔點(diǎn)(℃) 轉(zhuǎn)變成金紅石 1800-1875 轉(zhuǎn)變成金紅石介電常數(shù) 48 114(90℃) 78莫氏硬度 5.5-6 6-7 5.5-6.2.2 TiO2的主要結(jié)構(gòu)二氧化鈦,分子式 TiO2,自然界中主要存在三種同素異形體,銳鈦礦型、金紅石板鈦礦型,如圖 1-2 所示,三種晶型中金紅石型是最為穩(wěn)定的,銳鈦礦型在室溫和狀態(tài)下較穩(wěn)定,在高溫條件下,轉(zhuǎn)變成金紅石相的 TiO2,而且轉(zhuǎn)變不可逆,金紅石iO2介電常數(shù)高,硬度較大[16]。

示意圖,磁控濺射,示意圖,參雜


圖 1-4 磁控濺射示意圖Fig. 1-4 The mechanism of magnetron sputtering method的薄膜的性能主要與濺射時(shí)間、濺射電壓有關(guān),劉、Cu2O/TiO2薄膜,并研究了不同濺射時(shí)間及不同 Cuger[23]等人通過(guò)磁控濺射的方法在薄膜上參雜 Nb 制摻雜薄膜光電性能的影響。Lindgren[24]等通過(guò)磁控濺多孔 N,結(jié)果表明,N 參雜后的 TiO2薄膜可吸收 4明顯提高。Satoshi Takeda[25]等人通過(guò)磁控濺射的方為 200 ℃條件下)在含有 SiO2的玻璃上成功濺射上制備的該薄膜在紫外光照射下對(duì)甲醛等有害物質(zhì)具有水溶液在高溫高壓下發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成所需的

【參考文獻(xiàn)】:
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本文編號(hào):3464249

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