P型非晶碳薄膜/鈦酸鍶表面電子氣異質(zhì)結(jié)光致負(fù)磁電阻的特性研究
發(fā)布時(shí)間:2021-09-17 19:42
鋁酸鑭(LaAlO3,LAO)與鈦酸鍶(SrTiO3,STO)均是鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的絕緣氧化物。近年來(lái),研究人員在LAO/STO異質(zhì)結(jié)界面誘發(fā)出高濃度的電子氣,其擁有量子霍爾效應(yīng)、磁電阻、超導(dǎo)等絕緣氧化物所不具備的物理特性。而另一種制備電子氣的方法是通過(guò)Ar+轟擊STO在其表面誘發(fā)氧空位,其產(chǎn)生的電子氣與LAO/STO界面電子氣具有許多相似的物理特性,如磁電阻、持續(xù)光電導(dǎo)效應(yīng)等。盡管電子氣是電子導(dǎo)電體系(n型),直到目前尚沒(méi)有研究表明它可與p型材料構(gòu)成p-n結(jié)。一個(gè)主要的難點(diǎn)是電子氣一般隱藏在界面之中,很難與其它材料形成接觸。而Ar+轟擊制備的STO表面電子氣(STO surface electron gas,SSEG)恰恰能解決該問(wèn)題。因此本研究主要關(guān)注于利用該方法構(gòu)建p-n結(jié)及其相關(guān)的物理特性。SSEG通過(guò)Ar+轟擊單晶STO(100)制備。經(jīng)200 V與400 V電壓加速的Ar+轟擊STO制備了載流子面密度(ns)不同的SSEG,盡管...
【文章來(lái)源】:蘇州科技大學(xué)江蘇省
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
鈦酸鍶晶體結(jié)構(gòu)示意圖
碳原子軌道雜化方式
非晶碳的結(jié)構(gòu)示意圖
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]光電導(dǎo)效應(yīng)及其應(yīng)用探究[J]. 彭文勝,王建中. 高等函授學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2007(06)
[2]脈沖激光沉積(PLD)原理及其應(yīng)用[J]. 唐亞陸,杜澤民. 桂林電子工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào). 2006(01)
[3]脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)及其應(yīng)用研究[J]. 高國(guó)棉,陳長(zhǎng)樂(lè),王永倉(cāng),陳釗,李譚. 空軍工程大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2005(03)
[4]鈦酸鍶系電子陶瓷的性能與應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 張士成,陳炳辰,韓躍新. 礦冶. 2001(01)
本文編號(hào):3399376
【文章來(lái)源】:蘇州科技大學(xué)江蘇省
【文章頁(yè)數(shù)】:64 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
鈦酸鍶晶體結(jié)構(gòu)示意圖
碳原子軌道雜化方式
非晶碳的結(jié)構(gòu)示意圖
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]光電導(dǎo)效應(yīng)及其應(yīng)用探究[J]. 彭文勝,王建中. 高等函授學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2007(06)
[2]脈沖激光沉積(PLD)原理及其應(yīng)用[J]. 唐亞陸,杜澤民. 桂林電子工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào). 2006(01)
[3]脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)及其應(yīng)用研究[J]. 高國(guó)棉,陳長(zhǎng)樂(lè),王永倉(cāng),陳釗,李譚. 空軍工程大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2005(03)
[4]鈦酸鍶系電子陶瓷的性能與應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 張士成,陳炳辰,韓躍新. 礦冶. 2001(01)
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