Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體/二氧化鈦復(fù)合薄膜的改性及其光電特性研究
發(fā)布時間:2021-06-22 20:49
太陽能技術(shù)是解決能源危機和環(huán)境污染的有效手段之一,而高效率、低成本的太陽能電池是實現(xiàn)太陽能轉(zhuǎn)換與應(yīng)用的關(guān)鍵。量子點敏化太陽能電池(QDSCs)以半導(dǎo)體量子點(QDs)材料為光敏劑,得益于QDs優(yōu)越的光穩(wěn)定性、高的消光系數(shù)、有效的帶隙調(diào)節(jié)能力和多激子效應(yīng)等優(yōu)點,其光電轉(zhuǎn)換效率有望突破ShockleyQueisser理論限制(31%)達到更高的44%,得到業(yè)界人士的廣泛關(guān)注與研究;赒DSCs的結(jié)構(gòu)特點,QDs光敏劑與氧化物薄膜組成的光電極是決定QDSCs光電轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵,而光電極中QDs負載率低和電子空穴復(fù)合率高是限制QDSCs效率的主要原因。在此基礎(chǔ)上,本論文以TiO2、Cd S材料為基礎(chǔ),通過光電極的結(jié)構(gòu)改進、元素摻雜和界面處理等優(yōu)化方法改進QDs的負載質(zhì)量和電荷傳輸性能,進而提高了太陽能電池的光電性能。主要研究內(nèi)容如下:(1)采用水熱法制備大面積高能{001}晶面暴露的Sn摻雜TiO2(STO)納米片陣列薄膜,研究得出Sn摻雜有利于SnxTi1-x O2混合陽離子化合物和摻雜能級的生成,從而可以增強TiO2納米片...
【文章來源】:山東理工大學(xué)山東省
【文章頁數(shù)】:88 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
各國能源消耗貢獻值和各類能源年增長率
山東理工大學(xué)碩士學(xué)位論文第一章緒論4圖1.2太陽能電池分類Fig.1.2Classificationofsolarcells1.3.1硅基類太陽能電池晶硅類太陽能電池是人類研究最早也是現(xiàn)在應(yīng)用最廣泛的太陽能電池,其原理主要是基于半導(dǎo)體p-n結(jié)的光伏效應(yīng),原理圖如圖1.3所示。圖1.3p-n結(jié)太陽能電池原理圖Fig.1.3Schematicofp-njunctionsolarcell入射光垂直入射到p-n結(jié)表面,當光子能量大于半導(dǎo)體的禁帶寬度,會在結(jié)的兩邊分別產(chǎn)生電子-空穴對。在內(nèi)建電場的作用下,結(jié)兩邊的光生少數(shù)載流子各自向相反的方向運動,p區(qū)的電子穿過p-n結(jié)進入n區(qū),n區(qū)的空穴進入p區(qū),使
山東理工大學(xué)碩士學(xué)位論文第一章緒論4圖1.2太陽能電池分類Fig.1.2Classificationofsolarcells1.3.1硅基類太陽能電池晶硅類太陽能電池是人類研究最早也是現(xiàn)在應(yīng)用最廣泛的太陽能電池,其原理主要是基于半導(dǎo)體p-n結(jié)的光伏效應(yīng),原理圖如圖1.3所示。圖1.3p-n結(jié)太陽能電池原理圖Fig.1.3Schematicofp-njunctionsolarcell入射光垂直入射到p-n結(jié)表面,當光子能量大于半導(dǎo)體的禁帶寬度,會在結(jié)的兩邊分別產(chǎn)生電子-空穴對。在內(nèi)建電場的作用下,結(jié)兩邊的光生少數(shù)載流子各自向相反的方向運動,p區(qū)的電子穿過p-n結(jié)進入n區(qū),n區(qū)的空穴進入p區(qū),使
本文編號:3243514
【文章來源】:山東理工大學(xué)山東省
【文章頁數(shù)】:88 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
各國能源消耗貢獻值和各類能源年增長率
山東理工大學(xué)碩士學(xué)位論文第一章緒論4圖1.2太陽能電池分類Fig.1.2Classificationofsolarcells1.3.1硅基類太陽能電池晶硅類太陽能電池是人類研究最早也是現(xiàn)在應(yīng)用最廣泛的太陽能電池,其原理主要是基于半導(dǎo)體p-n結(jié)的光伏效應(yīng),原理圖如圖1.3所示。圖1.3p-n結(jié)太陽能電池原理圖Fig.1.3Schematicofp-njunctionsolarcell入射光垂直入射到p-n結(jié)表面,當光子能量大于半導(dǎo)體的禁帶寬度,會在結(jié)的兩邊分別產(chǎn)生電子-空穴對。在內(nèi)建電場的作用下,結(jié)兩邊的光生少數(shù)載流子各自向相反的方向運動,p區(qū)的電子穿過p-n結(jié)進入n區(qū),n區(qū)的空穴進入p區(qū),使
山東理工大學(xué)碩士學(xué)位論文第一章緒論4圖1.2太陽能電池分類Fig.1.2Classificationofsolarcells1.3.1硅基類太陽能電池晶硅類太陽能電池是人類研究最早也是現(xiàn)在應(yīng)用最廣泛的太陽能電池,其原理主要是基于半導(dǎo)體p-n結(jié)的光伏效應(yīng),原理圖如圖1.3所示。圖1.3p-n結(jié)太陽能電池原理圖Fig.1.3Schematicofp-njunctionsolarcell入射光垂直入射到p-n結(jié)表面,當光子能量大于半導(dǎo)體的禁帶寬度,會在結(jié)的兩邊分別產(chǎn)生電子-空穴對。在內(nèi)建電場的作用下,結(jié)兩邊的光生少數(shù)載流子各自向相反的方向運動,p區(qū)的電子穿過p-n結(jié)進入n區(qū),n區(qū)的空穴進入p區(qū),使
本文編號:3243514
本文鏈接:http://sikaile.net/guanlilunwen/gongchengguanli/3243514.html
最近更新
教材專著