采用熱絲化學氣相沉積（HWCVD）技術在低溫條件下（100℃）制備超�。�³0 nm）的硼摻雜硅薄膜。系統(tǒng)研究了氫稀釋比例R_H對薄膜的微結(jié)構(gòu)和電學性能的影響。當R_H由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,載流子濃度增加,暗電導率增加;同時,薄膜的缺陷密度增加、霍爾遷移率降低。實驗證實,當R_H=55⁷0時,超薄硅薄膜開始晶化,這是薄膜由非晶到納米晶的轉(zhuǎn)化區(qū)。快速熱退火工藝進一步提高了薄膜導電率。在R_H=115、襯底溫度為100℃沉積條件下,經(jīng)過420℃、80 s退火,獲得電導率為6.88 S/cm的超薄硼摻雜納米晶硅薄膜。 

【文章來源】：人工晶體學報. 2016,45(08)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
3 結(jié)果與討論
    3.1 氫稀釋比例RH對薄膜微結(jié)構(gòu)的影響
    3.2 氫稀釋比例RH對薄膜電學性能的影響
    3.3 快速熱退火工藝對薄膜導電率的影響
4 結(jié)論



本文編號：3198026