本文在ZnO壓敏電阻器的配方中摻入Si元素替換Cr元素,工藝上采用化學共沉淀法制備納米粉體材料,通過化學共沉淀法制備制備了高純、超細、均勻的優(yōu)質復合粉體。摻雜Si后燒結過程中阻礙了晶粒長大,提高了壓敏電阻梯度,該方法把梯度由原來的（200-220）V/mm由提高到（350-380）V/mm。添加劑的總質量減少40%以下,燒結溫度降低了50℃。有效提高了性能,降低了生產成本。 

【文章來源】：電子技術與軟件工程. 2020,(19)

【文章頁數(shù)】：2 頁

【部分圖文】：

傳統(tǒng)方法和化學共沉淀法制備的料槳經砂磨后粒度對比


本文編號：3116444