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Si摻雜化學(xué)共沉淀法制備氧化鋅壓敏電阻

發(fā)布時(shí)間:2021-04-03 02:35
  本文在ZnO壓敏電阻器的配方中摻入Si元素替換Cr元素,工藝上采用化學(xué)共沉淀法制備納米粉體材料,通過(guò)化學(xué)共沉淀法制備制備了高純、超細(xì)、均勻的優(yōu)質(zhì)復(fù)合粉體。摻雜Si后燒結(jié)過(guò)程中阻礙了晶粒長(zhǎng)大,提高了壓敏電阻梯度,該方法把梯度由原來(lái)的(200-220)V/mm由提高到(350-380)V/mm。添加劑的總質(zhì)量減少40%以下,燒結(jié)溫度降低了50℃。有效提高了性能,降低了生產(chǎn)成本。 

【文章來(lái)源】:電子技術(shù)與軟件工程. 2020,(19)

【文章頁(yè)數(shù)】:2 頁(yè)

【部分圖文】:

Si摻雜化學(xué)共沉淀法制備氧化鋅壓敏電阻


傳統(tǒng)方法和化學(xué)共沉淀法制備的料槳經(jīng)砂磨后粒度對(duì)比


本文編號(hào):3116444

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