發(fā)布時(shí)間：2021-03-01 22:48

　　透明導(dǎo)電薄膜作為光電器件的重要組成部分,具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值,尤其在發(fā)光二極管、顯示面板、觸摸屏和太陽能電池等電子領(lǐng)域,引起研究工作者的廣泛關(guān)注。目前透明導(dǎo)電薄膜主要是采用銦錫氧化物（ITO）制備。然而ITO薄膜柔性差,很容易在外力作用下破壞,限制了在柔性電子器件中的應(yīng)用。另外相對(duì)復(fù)雜的ITO制造工藝和銦資源的匱乏限制了其未來的進(jìn)一步應(yīng)用,因此需要尋找替代品。銀納米線因具有高的透光率、良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性以及等離子體特性,所以可應(yīng)用在電子領(lǐng)域。此外,用銀納米線制備的透明導(dǎo)電薄膜具有導(dǎo)電性高、機(jī)械延展性好以及易于加工和可大規(guī)模制造等優(yōu)點(diǎn),使其成為ITO理想的替代品。為了實(shí)現(xiàn)銀納米線的實(shí)際應(yīng)用,需要降低銀納米線的制備成本,簡(jiǎn)化銀納米線的制備工藝。目前常用的銀納米線的合成方法是多元醇法,往往需要加入聚乙烯基吡咯烷酮（PVP）。然而這些長(zhǎng)鏈聚合物分子會(huì)在納米線周圍形成了一層絕緣層,移除PVP需要有機(jī)溶劑進(jìn)行多次洗滌,整個(gè)過程繁瑣耗時(shí)且制備成本較高。但是在合成過程中,如果不使用有機(jī)物穩(wěn)定劑,合成的銀納米線在水溶液中膠體穩(wěn)定性較低,容易發(fā)生團(tuán)聚,這將會(huì)影響銀納米線的實(shí)際使用性能。另外,銀納米線的直徑... 

【文章來源】：河南大學(xué)河南省

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

不同溫度T制備的銀納米線的sEM圖:(a)14o

無 PVP 多元醇法制備直徑可控的銀納米線及其在透明導(dǎo)電薄膜中的應(yīng)用研究(2) 攪拌速度的影響Junaidi[47]研究了攪拌速度對(duì)銀納米線形貌的影響。以乙二醇為溶劑及還原劑，AgNO3為前驅(qū)體，聚乙烯醇（PVA）為封端劑及穩(wěn)定劑，通過改變攪拌速率來合成銀納米線。圖 1-2 為不同攪拌速度下的掃描電子顯微鏡（SEM）圖，從圖中可以看出以 350rpm 的攪拌速度形成的銀納米線形貌最好，其直徑為 190±40 nm，長(zhǎng)度約為 70±20 μm。攪拌速度為 500 rpm 合成的為銀納米棒，直徑和長(zhǎng)度約為 500±20 nm 和 20±10 μm。攪拌速度為 700 rpm 合成的銀納米棒直徑和長(zhǎng)度分別為 700±30 nm 和 20±5 μm。攪拌速度為 125 和 1100 rpm 的，僅產(chǎn)生直徑為 2-3 μm 的銀納米粒子。J.Jiu 等[48]采用在不攪拌的條件下，采用多元醇法一鍋合成了平均直徑為 60nm，長(zhǎng)

第一章 緒論摩爾比，控制成核速度和銀納米線的長(zhǎng)徑比。圖 1-3 的掃描電鏡圖像顯示了不同 Cu2+濃度對(duì)銀納米線長(zhǎng)度的影響。如圖 1-3(a)，當(dāng)溶液中沒有 Cu2+，產(chǎn)物為納米粒子和長(zhǎng)度約為 8.2±3.7μm 銀納米線的混合物。如圖 1-3(b)，當(dāng) Cu2+的濃度增加到 0.19mM，銀納米線平均長(zhǎng)度提高到 12.6±6.6μm，反應(yīng)時(shí)間可減少至 40min。如圖 1-3(c)所示，隨著 Cu2+濃度的不斷增加，銀納米線純度進(jìn)一步提高且長(zhǎng)度增加到 49.4±24.3μm，總反應(yīng)時(shí)長(zhǎng)減少至 30min。當(dāng)高濃度 Cu2+被乙二醇還原為 Cu+時(shí)，可去除銀納米線表面的氧原子，降低銀原子的刻蝕率[53]。當(dāng)使用 NaCl 代替 CuCl2合成納米線時(shí)，納米晶體刻蝕速度很快，

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]銀納米線的制備及應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 王成,許秋瑾.  化學(xué)試劑. 2018(12)
[2]高長(zhǎng)徑比銀納米線的可控制備及其在透明導(dǎo)電薄膜中的應(yīng)用[J]. 劉琳,李鑫,陳喜芳,易早,易有根.  湖南文理學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2018(03)
[3]銀納米線制備及應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 許杰,賈旺,李偉,劉皓,李津,程博聞.  化工新型材料. 2018(01)
[4]銀納米線透明電極的成膜及后處理綜述[J]. 王潔,堵永國,張楷力.  貴金屬. 2016(03)
[5]大面積光刻膠線棒涂布工藝研究[J]. 韋必明,金名亮,吳昊,竇盈瑩,周國富,水玲玲.  華南師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2015(02)
[6]化學(xué)法制備石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜的研究進(jìn)展[J]. 李秀強(qiáng),張東.  功能材料. 2014(S1)
[7]稀HNO3對(duì)銀納米線薄膜電極光電性能影響的研究[J]. 何鑫,陳寧,方健成,張梅,黃俊能,羅堅(jiān)義.  人工晶體學(xué)報(bào). 2013(08)
[8]L-半胱氨酸誘導(dǎo)單晶銀納米線的快速合成及表征[J]. 張曉清,楊志巖,胡愛軍,王會(huì)才,申子瑤.  功能材料. 2013(21)

碩士論文
[1]新型有機(jī)太陽能電池及其制備方法的研究[D]. 王標(biāo).暨南大學(xué) 2013



本文編號(hào)：3058134